Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (1)ЭК сектора БАН при Институте прикладной астрономии РАН (ИПА) (1)ЭК отдела БАН при Институте озероведения РАН (ИНОЗ) (1)ЭК отдела БАН при Институте истории материальной культуры РАН (ИИМК) (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Волков, Н. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.
Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом [Текст] / В.Н. Светогоров, Ю.Л. Рябоштан, Н.А. Волков, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, К.В. Бахвалов, Д.А. Веселов, А.В. Лютецкий, В.А. Стрелец, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин // Квант. электрон. - 2021. - b Т./b : 51, b №/b : 10. - С.909-911. - Библиогр.: 20 назв.

Доп.точки доступа: Светогоров, В.Н.; Рябоштан, Ю.Л.; Волков, Н.А.; Ладугин, М.А.; Падалица, А.А.; Мармалюк, А.А.; Бахвалов, К.В.; Веселов, Д.А.; Лютецкий, А.В.; Стрелец, В.А.; Слипченко, С.О.; Пихтин, Н.А.
Найти похожие


2.
Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (lambda=900-920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой [Текст] / Н.А. Волков, Т.А. Багаев, Д.Р. Сабитов, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, А.А. Падалица, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюкa, К.В. Бахвалов, Д.А. Веселов, А.В. Лютецкий, Н.А. Рудова, В.А. Стрелец, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин // Квант. электрон. - 2021. - b Т./b : 51, b №/b : 10. - С.905–908. - Библиогр.: 20 назв.

Доп.точки доступа: Волков, Н.А.; Багаев, Т.А.; Сабитов, Д.Р.; Андреев, А.Ю.; Яроцкая, И.В.; Падалица, А.А.; Ладугин, М.А.; Мармалюкa, А.А.; Бахвалов, К.В.; Веселов, Д.А.; Лютецкий, А.В.; Рудова, Н.А.; Стрелец, В.А.; Слипченко, С.О.; Пихтин, Н.А.
Найти похожие


3.
Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (lambda=1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов [Текст] / Н.А. Волков, В.Н. Светогоров, Ю.Л. Рябоштан, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин // Квант. электрон. - 2021. - b Т./b : 51, b №/b : 4. - С.283-286. - Библиогр.: 25 назв.

Доп.точки доступа: Волков, Н.А.; Светогоров, В.Н.; Рябоштан, Ю.Л.; Андреев, А.Ю.; Яроцкая, И.В.; Ладугин, М.А.; Падалица, А.А.; Мармалюк, А.А.; Слипченко, С.О.; Лютецкий, А.В.; Веселов, Д.А.; Пихтин, Н.А.
Найти похожие


4.
Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (lambda=1450–1500 нм) с сильно асимметричным волноводом [Текст] / Н.А. Волков, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, Ю.Л. Рябоштан, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюкa, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин // Квант. электрон. - 2021. - b Т./b : 51, b №/b : 2. - С.133-136. - Библиогр.: 36 назв.

Доп.точки доступа: Волков, Н.А.; Андреев, А.Ю.; Яроцкая, И.В.; Рябоштан, Ю.Л.; Светогоров, В.Н.; Ладугин, М.А.; Падалица, А.А.; Мармалюкa, А.А.; Слипченко, С.О.; Лютецкий, А.В.; Веселов, Д.А.; Пихтин, Н.А.
Найти похожие


5.
Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером [Текст] / В.Н. Светогоров, Ю.Л. Рябоштан, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, Н.А. Волков, А.А. Мармалюк, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин // Квант. электрон. - 2020. - b Т./b : 50, b №/b : 12. - С.1123-1125. - Библиогр.: 21 назв.

Доп.точки доступа: Светогоров, В.П.; Рябоштан, Ю.G.; Ладугин, М.А.; Падалица, А.А.; Волков, Н.А.; Мармалюк, А.А.; Слипченко , С.О.; Лютецкий, А.В.; Веселов, Д.А.; Пихтин, Н.А.
Найти похожие