Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
ЭК изданий на восточных языках отдела литературы стран Азии и Африки (ОЛСАА)
Имидж-каталог БАН
Рукописный фонд БАН
Фонд редкой книги БАН
Газетный фонд БАН
Подносные экземпляры из библиотеки Петра I
Рукописи старообрядцев-скрытников из Каргопольского собрания
Наука в СССР в годы Великой Отечественной войны 1941 - 1945 гг.
Русские биографические и биобиблиографические словари и справочники, 1956-2000 гг.
Санкт-Петербургские ведомости (1728 - 1781)
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=Тх XII-2.1.2<.>)
Общее количество найденных документов : 56
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-56 
1.    Ф|10663
   П46

    Пожела, Ю.
    Физика быстродействующих транзисторов [Текст] : монография / Ю. Пожела. - Вильнюс : Мокслас, 1989. - 263 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 4-10 р.
УДК
Ф VII-7
Тх XII-2.1.2
Тх XII-2.1.2.1
Ф VII-1.1

Рубрики: Ф
Кл.слова (ненормированные):
Физика полупроводниковых приборов -- Триоды -- Микроэлектроника

Найти похожие
2.    Ф|6727
   Г69

    Горн, Л. С.
    Микропроцессоры в приборах для радиационных измерений [Текст] / Л.С. Горн, Б.И. Хазанов, Д.Б. Хазанов. - М. : Атомиздат, 1979. - 112 с. - 1.10 р.
ББК Ф XV-13 + Тх XII-2.1.2

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ДОЗИМЕТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- микропроцессоры

Доп.точки доступа: Хазанов, Б.И.; Хазанов, Д.Б.
Найти похожие
3.    Ф|6212
   П53

   
    Полупроводниковые пленки для микроэлектроники [Текст] / АН СССР. СО, Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Л.Н. Александров, В.И. Петросян. - Новосибирск : Наука. Сиб. отд-ние, 1977. - 248 с. - 1.60 р.
ББК Ф VII-7.2 + Тх XII-2.1.2

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые пленки -- микроэлектроника

Доп.точки доступа: Александров, Л.Н. \ред.\; Петросян, В.И. \ред.\; АН СССР. СО; Ин-т физики полупроводников
Найти похожие
4.    Ф|4663
   Ф 50

   
    Физика полупроводников и микроэлектроника [Текст]. - Воронеж : Изд-во Воронеж. ун-та, 1972. - 123 с. - 0.72 р.
ББК Ф VII-1.1 + Тх XII-2.1.2

Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
физика полупроводников -- микроэлектроника

Найти похожие
5.    Ф|12730
   F98

   
    Future trends in microelectronics: The nano millenium [Text] : сборник / eds.: S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky. - New York : IEEE ; Hoboken : Wiley-Interscience, 2002. - 387 p. : ил. - Библиогр. в конце ст. -Указ.: с. 381-387. - ISBN 0-471-21247-4 : 300.00 р., 4200.00 р.
УДК
Ф VII-2
Ф VII-7.4
Тх XII-2.1.2

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСТРУКТУРЫ, СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Доп.точки доступа: Luryi, S. \ed.\; Xu, J. \ed.\; Zaslavsky, A. \ed.\
Найти похожие
6.    Ф|13125
   R29

    Razeghi, M.
    The MOCVD challenge [Text] / M. Razeghi. - Bristol ; Philadelphia : Adam Hilger, 1989 - .
   Vol. 1 : A survey of GalnAsP-InP for photonic and electronic applications. - 1989. - 328 p. - ISBN 0-85274-161-8 : 100.00 р., б/ц р.
ББК Ф VII-7 + Тх XII-2.1.2 + Тх XII-2.2.2

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОВЕРХНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ, СВЕРХРЕШЕТКИ -- ЭЛЕКТРОНИКА -- ФОТОНИКА
Аннотация: The MOCVD Challenge describes how to use MOCVD to grow materials & devices, in particular indium phosphide, gallium indium arsenide & gallium indium arseno phosphide. It contains detailed descriptions of reactors, starting materials & growth conditions. It discusses lattice-matched materials, strained layers & growth on non-matched substrates such as silicon. It includes results which include the growth, characterization, application of heterojunctions, quantum wells & superlattices based on these compounds. It concludes with applications for indium phosphide related semiconductors such as lasers & photodetectors & for electronic components such as optical fibres & satellite communication systems. Together with The MOCVD Challenge: Volume 2 it forms a valuable reference for users of MOCVD, & those evaluating MOCVD for use in their research. Written for physicists, materials scientists, electronics & electrical engineers involved in semiconducting materials & as-grown device research

Найти похожие
7.    Springer eBooks
   P43

    Perevoshchikov, V. A.
    Gettering defects in semiconductors [Electronic resource] : научное издание / V.A. Perevoshchikov, V.D. Skoupov. - Berlin ; New York : Springer Science + Business Media, 2005. - 387 p. - (Springer Series in Advanced Microelectronics, ISSN 1437-0387 ; vol. 19 ). - ISBN 10 3-540-26244-X. - ISBN 13 978-3-540-26244-2
Электронная книга находится на постоянном доступе по адресу: http://ebooks.springerlink.com
УДК
Ф VII-1.11
Тх XII-2.1.3
Тх XII-2.1.2

Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые технологии -- дефекты в полупроводниках -- микроэлектроника -- наноэлектроника
Аннотация: This book touches the problems of gettering defects in semiconducting materials and structures; and a need in this book is determined by its ability to help you to fulfil, at least, the following three basic purposes: – to systematize the experience so far gained in exploiting various gettering techniques in micro– and nanoelectronics; – to substantiate new directions in the fundamental and experimental research of this field, certainly perspective for professionals and young researchers and specialists;– to fill a gap in the contemporary educational literature on the semiconducting material theory, since the students usually have no constant access to foreign and national periodic publications and patents suggested in this book. The book briefly discusses the basic types and properties of structural defects in semiconductors, the mechanisms of their birth and transformation during basic technological operations in the manufacture of semiconducting devices and ICs. This book is suggested both to engineers-technologists interested in semiconducting materials theory and also to students, MS holders, post-graduate students being trained in solid–state micro– and nanoelectronics. In this connection, the book has a relatively large list of references that may help students and specialists to find more easily their place among contemporary technologies of gettering.

Перейти: Springer eBooks
Доп.точки доступа: Skoupov, V.D.
Найти похожие
8.    Springer eBooks
   H65

   
    High dielectric constant materials: VLSI MOSFET [Electronic resource] : научное издание / eds: H.R. Huff, D. C. Gilmer. - Berlin ; New York : Springer Science + Business Media ; Berlin ; Heidelberg : Springer-Verlag, 2005. - 710 p. - (Applications Springer Series in Advanced Microelectronics, ISSN 1437-0387 ; vol. 16). - ISBN 3-540-21081-4 : Б. ц.
Электронная книга находится на постоянном доступе по адресу: http://ebooks.springerlink.com
УДК
Тх XII-2.1.2
Ф VII-1.3.1

Рубрики: Техника
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
полевые транзисторы -- диэлектрическая проницаемость -- подзатворный диэлектрик
Аннотация: This monograph presents a perspective on the gate dielectric and the approaches in progress to rectify the above noted issues. That is, increasing the physical thickness of the gate dielectric to significantly reduce the power and direct-tunneling current issues while enabling the continued reduction in the electrically active gate dielectric thickness by utilizing high-k dielectric constant materials. The high-k materials facilitate both an increased physical thickness and a reduction in the electrical thickness to maintain the requisite scaling methodology. The latter is generally referred to as the equivalent oxide thickness (EOT). This monograph, however, is envisioned to be more than just a current view of these alternative high-k gate dielectric approaches. Rather, both previous and present directions related to scaling the gate dielectric and their impact, along with the creative directions and future challenges de.ning the direction of high-k gate dielectric scaling methodology, will be reviewed. The monograph is introduced by a comprehensive review of Moore’s law by Dan Hutcheson and then is divided into four parts.

Перейти: Springer eBooks
Доп.точки доступа: Huff, H.R. \ed.\; Gilmer, D. C. \ed.\
Найти похожие
9.    Тх|7157 Т.20
   К 32

   
    Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника [Текст] : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. А.А. Орликовский. - М. : Наука, 2009. - 175 с. : ил. - (Тр. ФТИАН ; т. 20). - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-02-036976-4 : 260.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2

Рубрики: Техника
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах.

Доп.точки доступа: Орликовский, А.А. \отв. ред.\
Найти похожие
10.    Тх|7157 Т.21
   К 32

   
    Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника [Текст] : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Т.М. Махвиладзе. - М. : Наука, 2011. - 175 с. : ил. - (Тр. ФТИАН ; т. 21). - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-02-036976-4 : 550.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Сборник посвящен проблемам информационнымх технологий, микро и наноэлектроники. Рассмотрены современные аспекты квантовых методов обработки информации, а также разработки архитектуры и методов проектирования высокопроизводительных вычислительных систем. Большое внимание уделено актуальным проблемам развития теоретических основ и математическому моделированию технологических процессов создания, функционирования и диагностики микро- и наноэлектронных структур. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к фотолитографии, осаждению и росту тонких пленок, формированию пористых микрокластеров в кристаллах, свойствам интерфейсов и их адгезионной прочности, мессбауэровской наноспектроскопии. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Доп.точки доступа: Махвиладзе, Т.М. \отв. ред.\
Найти похожие
11.    Ф|13974
   П 18

    Парфенова , Е. Л.
    Физические основы микро- и наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие / Е. Л. Парфенова , Л. А. Терентьева, М. Г. Хусаинов . - Ростов н/Д : Феникс, 2012. - 234 с. - (Высш. образование). - Библиогр.: с. 231. - ISBN 978-5-222-19617-5 : 229.60 р.
ББК Ф I-13; 075 + Тх XII-2.1.2 + Тх XII-2.1.2.6

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
техника физического эксперимента; учебное пособие -- микроэлетроника -- наноэлектроника
Аннотация: В данном учебном пособии изложены физические основы микро- и наноэлектроники. В основу положены лекции по физике и физическим основам получения информации, читаемые авторами в КНИТУ-КАИ им. А.Н. Туполева.??Предназначено для студентов специальностей: «Нанотехнологии в электронике», «Наноматериалы», «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети», «Приборостроение», «Инженерная зашита окружающей среды». Настоящее учебное пособие будет полезно также студентам и инженерам, использующим физические эффекты в материалах электронной техники.

Доп.точки доступа: Терентьева, Л. А.; Хусаинов , М. Г.
Найти похожие
12.    Тх|8096
   Т 38

   
    Техническая механика микросистем [Текст] : учеб. пособие / Ред. В. Н. Тимофеев. - 2-е изд. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 176 с. : ил. - Библиогр.: с. 173-174. - ISBN 978-5-9963-0636-7 : 220.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2 + Тх II + Ф II-2.32

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- прикладная механика -- классическая механика, теория колебаний
Аннотация: Пособие посвящено механике микросистем, являющейся составной частью физики микросистем. Изложены основы теории механических колебаний, анализа напряженно-деформированного состояния несущих элементов, демпфирования, электромеханики. Рассмотрены современные конструкции микрогироскопов и акселерометров, микрозеркала, что обусловлено большим практическим интересом к таким приборам. Предназначено для студентов старших курсов, обучающихся по направлениям (специальностям) "Микросистемная техника" и "Микроэлектроника и твердотельная электроника". Может быть полезно аспирантам и инженерам, занимающимся проектированием и разработкой микросистемной техники.

Доп.точки доступа: Тимофеев, В. Н. \ред.\
Найти похожие
13.    Тх|8187
   Б 90

    Букреев, И. Н.
    Микроэлектронные схемы цифровых устройств [Текст] / И.Н.Букреев, В.И.Горячев, Б.М.Мансуров. - 4-е изд., перераб. и доп. - М. : Техносфера, 2009. - 712 с. - (Мир электроники). - ISBN 978-5-94836 : 920.00 р.
УДК
Тх XII-2.1.2
Тх XI

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- автоматика, вычислительная техника
Аннотация: Книга содержит большой объем оригинального материала по вопросам функционального и схемотехнического проектирования цифровых устройств на микросхемах. В отличие от третьего издания (1990 г.) расширен материал по триггерным схемам и схемам счетчиков, по импульсным устройствам на цифровых ИС. Введен новый материал по источникам вторичного питания и линиям связи, реализованным с применением цифровых ИС. Книга предназначена для инженеров-разработчиков цифровой аппаратуры, содержащей в своем составе вторичные источники питания и устройства приема и передачи цифровой информации по проводным линиям связи, проектировщиков БИС и СБИС, а также будет полезна студентам и аспирантам вузов соответствующих специальностей.

Доп.точки доступа: Горячев, В.И.; Мансуров, Б.М.
Найти похожие
14.    Тх|8111
   Б 43

    Белоус, А. И.
    Основы схемотехники микроэлектронных устройств [Текст] / А. И. Белоус, В. А. Емельянов, А. С. Турцевич. - М. : Техносфера, 2012. - 472 с. - (Мир электроники). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-307-3 : 636.00 р.
Предисловие Ж. И. Алферова
ББК Тх VI-3.6 + Тх XII-2.1.2

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
электротехника, электроизмерительная техника, радиоизмерительная техника -- микроэлектроника
Аннотация: В книге представлен анализ особенностей работы, методы проектирования и основы практического применения цифровых микросхем в составе современных микроэлектронных устройств, предложен большой набор эффективных схемотехнических решений базовых элементов для реализации требований, предъявляемых к микроэлектронным устройствам, приведено детальное описание принципов работы и правил применения современных базовых элементов в составе микроэлектронных устройств. Издание ориентировано на широкий круг инженерно-технических работников, учёных, студентов и аспирантов, специализирующихся в области разработки, организации производства и эксплуатации радиоэлектронной бытовой, промышленной и специальной техники, информационно-коммуникационных, телекоммуникационных и навигационных применений, использующих современные микроэлектронные устройства.

Доп.точки доступа: Емельянов, В. А.; Турцевич, А. С.
Найти похожие
15.    Тх|7157 Т.23
   К 32

   
    Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника [Текст] : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. В. Ф. Лукичёв. - М. : Наука, 2013. - 214 с. : ил. - (Тр. ФТИАН ; т. 23). - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-02-038039-4 : 240.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Сборник трудов посвящен 25-летию со дня образования Физико-технологического института РАН. Вступительная статья знакомит читателя с историей создания Института и развития фундаментальных исследований в нем. В основной части статей приводятся исследования проблем квантовых компьютеров и квантовой информатики. Рассмотрены концепции твердотельных квантовых компьютеров на ядерных спинах, а также зарядовых кубитах на двойных квантовых точках. Предложены методы оценивания качества квантовых информационных технологий на основе квантовых измерений. В сборник помещена статья с обзором по архитектуре суперкомпьютеров. Подробно описана эволюция МДП-нанотранзистора как элемента интегральных схем к квантовому регистру. Кроме того, представлены работы по диагностике магнитных наноматериалов на основе исследования магнитной динамики наночастиц в "статических" и радиочастотных экспериментах, а также по плазменному травлению кремниевых структур с высоким аспектным отношением. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Доп.точки доступа: Лукичёв, В. Ф. \отв. ред.\
Найти похожие
16.    Тх|8144
   Н 81

   
    Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне [Текст] / Б. П. Вонг [и др.] ; пер. с англ. К. В. Юдинцев. - М. : Техносфера, 2014. - 432 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-377-6 : 840.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника
Аннотация: Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1–3). Во втором разделе (главы 4–9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10–11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса. Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.

Доп.точки доступа: Вонг, Б. П.; Миттал, А.; Цао, Ю.; Старр, Г.; Юдинцев, К. В. \пер. с англ.\; Шелепин, Н. А. \ред. пер.\
Найти похожие
17.    Тх|8146
   Б 43

    Белоус, А. И.
    Полупроводниковая силовая электроника [Текст] / А. И. Белоус, С. А. Ефименко, А. С. Турцевич. - М. : Техносфера, 2013. - 216 с. : ил. - (Мир электроники). - Библиогр.: с. 206-214. - ISBN 978-5-94836-367-7 : 517.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2 + Тх XII-2.1.1

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- полупроводниковые приборы
Аннотация: В книге представлена информация о принципах работы, составу и основным техническим характеристикам базовых элементов силовой электроники. На практических примерах рассмотрены основные аспекты проектирования и изготовления элементов силовой электроники, этапы расчета и конструирования основных типов энергосберегающих приборов и устройств для автоэлектроники, осветительной техники, управления электродвигатлями и источниками питания. Книга ориентирована на широкий круг читателей – ученых, инженерно-технических работников, студентов, инженеров-разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.

Доп.точки доступа: Ефименко, С. А.; Турцевич, А. С.
Найти похожие
18.    Тх|8156
   Т 18

    Таперо, К. И.
    Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения [Текст] / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. - М. : БИНОМ. Лаб. знаний, 2012. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 289-297. - 297.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2 + Ф XV-12 + Тх XII-2.1.2.6

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- радиационная физика -- нанотехнологии
Аннотация: В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Доп.точки доступа: Улимов, В.Н.; Членов, А.М.
Найти похожие
19.    Тх|7157 Т.24
   К 32

   
    Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника [Текст] : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Т. М. Махвиладзе. - М. : Наука, 2014. - 263 с. : ил. - (Тр. ФТИАН ; т. 24). - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-02-039068-3 : 320.00 р.
ББК Тх XII-2.1.2

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Сборник посвящен проблемам информационных технологий, микро- и наноэлектроники. Рассмотрены актуальные вопросы проектирования и реализации квантовых компьютеров, современные аспекты квантовых методов обработки информации. Большое внимание уделено актуальным проблемам развития теоретических основ и практических методов создания нано- и микроэлектронных структур, процессам их функционирования, надежности и диагностики. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к исследованию кислородной преципитации в кремнии, формированию пористых микрокластеров в кристаллах и микрорельефов методом прямого электронно-лучевого травления, свойствам интерфейсов в наноэлектронике и их адгезивной прочности, проблеме электромиграционной устойчивости элементов металлизации, мессбауэровской наноспектроскопии. Изучены новые перспективные методы создания ячеек памяти, включая термически активируемую MRAM. Представлен детальный анализ электрофизических свойств полупроводниковых гетероструктур в нанотранзисторной электронике. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Доп.точки доступа: Махвиладзе, Т.М. \отв. ред.\
Найти похожие
20.    Ф|14162
   С 30

    Семенов, В. С.
    Тонкопленочные магнитные наноэлементы [Текст] : структура доменных границ в тонких магнитных пленках / В. С. Семенов. - М. : URSS, Книжный дом "ЛИБРОКОМ", 2012. - 264 с. : ил. - Библиогр.: с. 249-263. - ISBN 978-5-397-02758-8 : 343.00 р.
ББК Ф VI-6.5 + Ф IX-1 + Тх XII-2.1.2

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
магнитные свойства металлов -- магнетизм -- микроэлектроника, пленочные технологии, нанотехнологии
Аннотация: В настоящей книге подробно рассмотрены различные виды доменных границ в тонких ферромагнитных пленках: доменные границы Блоха и Нееля, доменные границы с поперечными связями, заряженные доменные границы и др., описывается зависимость энергии и структуры доменных границ от ориентации намагниченности. Проанализированы пилообразные доменные границы, образующие переход намагниченности, который представляет единицу информации в магнитном носителе жесткого диска; исследована доменная структура полюса тонкопленочной магнитной головки записи и определена микромагнитная структура доменной верхушки. Книга предназначена для научных работников и специалистов в области микромагнетизма и магнитоэлектроники, а также для аспирантов и студентов вузов соответствующих специальностей.

Найти похожие
 1-20    21-40   41-56 
 
Описание ЭК
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю