Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
ЭК изданий на восточных языках отдела литературы стран Азии и Африки (ОЛСАА)
Имидж-каталог БАН
Рукописный фонд БАН
Фонд редкой книги БАН
Газетный фонд БАН
Подносные экземпляры из библиотеки Петра I
Рукописи старообрядцев-скрытников из Каргопольского собрания
Наука в СССР в годы Великой Отечественной войны 1941 - 1945 гг.
Русские биографические и биобиблиографические словари и справочники, 1956-2000 гг.
Санкт-Петербургские ведомости (1728 - 1781)
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Кукушкин, С. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 74
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.ФТИ

Кукушкин, С. А.
Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход) [Текст] : механизмы образования тонких пленок / С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. - СПб : Наука, 1996. - 304 с. : ил
ББК Ф V-9
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОВЕРХНОСТЬ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- НАНОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ
Доп.точки доступа: Слезов, В.В.
Найти похожие
2.ХР

Кукушкин, С. А.
Эволюционные процессы в ансамблях дисперсных частиц на поверхности твердых тел (поздняя стадия) [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук / С.А. Кукушкин ; ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР. - Л. : ФТИ, 1991. - 39 с.. - Библиогр.: 31 назв.
Специальность: 01.04.07 - физика твердого тела

Доп.точки доступа: ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Найти похожие
3.
Фотоиндуцированные явления в гетероструктурах SiC/Si в диапазоне видимого света и ближнего ИК-излучения [Текст] / С.А. Гудков, А.В. Солнышкин, О.Н. Сергеева, С.А. Кукушкин, Н.А. Феоктистов, И.П. Пронин, С.В. Сенкевич, Г.М. Некрасова // Фундамент. пробл. РЭП / Международная научно-техническая конференция “Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения”, INTERMATIC - 2017, 20-24 нояб. 2017, Москва, Россия. - 2017. - b Т./b : 17, b №/b : 3. - С.399-402

Доп.точки доступа: Гудков, С.А.; Солнышкин, А.В.; Сергеева, О.Н.; Кукушкин, С.А.; Феоктистов, Н.А.; Пронин, И.П.; Сенкевич, С.В.; Некрасова, Г.М.; Международная научно-техническая конференция “Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения”, INTERMATIC - 2017, 20-24 нояб. 2017, Москва, Россия
Найти похожие
4.
Диэлектрические и фотовольтаические свойства гетеростуктур SiC/Si [Текст] / О.Н. Сергеева, А.В. Солнышкин, С.И. Гудков, С.А. Кукушкин, И.П. Пронин, Г.М. Некрасова // Физ.-хим. аспекты изучения кластеров, наноструктур наноматер. - 2017. - b №/b : 9. - С.435-441

Доп.точки доступа: Сергеева, О.Н.; Солнышкин, А.В.; Гудков, С.И.; Кукушкин, С.А.; Пронин, И.П.; Некрасова, Г.М.
Найти похожие
5.
Фотовольтаический отклик в пленках SiC, эпитаксиально выращенных накремниевых подложках с проводимостью р-типа [Текст] / О.Н. Сергеева, Р.А. Закамский, А.В. Солнышкин, С.А. Кукушкин, Н.А. Феоктистов, С.В. Сенкевич, Г.М. Некрасова // Физ. диэлектриков / Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017): 14-я международная конференция, 29 мая-2 июня 2017, Санкт-Петербург, Россия. - 2017. - b Т./b : 1. - С.253-255

Доп.точки доступа: Сергеева, О.Н.; Закамский, Р.А.; Солнышкин, А.В.; Кукушкин, С.А.; Феоктистов, Н.А.; Сенкевич, С.В.; Некрасова, Г.М.; Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017): 14-я международная конференция, 29 мая-2 июня 2017, Санкт-Петербург, Россия
Найти похожие
6.
Китаев, Ю. Э.
Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния [Текст] / Ю.Э. Китаев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // ФТТ. - 2017. - b Т./b : 59, b №/b : 1. - С.30-35. - Библиогр.: 23 назв.

Доп.точки доступа: Кукушкин, С.А.; Осипов, А.В.
Найти похожие
7.
Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si [Текст] / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев // ФТТ. - 2017. - b Т./b : 59, b №/b : 4. - С.660-667. - Библиогр.: 30 назв.

Доп.точки доступа: Кукушкин, С.А.; Осипов, А.В.; Бессолов, В.Н.; Коненкова, Е.В.; Пантелеев, В.Н.
Найти похожие
8.
Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния [Текст] / A.С. Гращенко, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, Е.В. Калинина, С.А. Кукушкин // ФТП. - 2017. - b Т./b : 51, b №/b : 5. - С.651-658

Доп.точки доступа: Гращенко, A.С.; Феоктистов, Н.А.; Осипов, А.В.; Калинина, Е.В.; Кукушкин, С.А.
Найти похожие
9.
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии AIIIBV нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111) [Текст] / Р.Р. Резник, К.П. Котляр, И.В. Штром, И.П. Сошников, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Г.Э. Цырлин // ФТП. - 2017. - b Т./b : 51, b №/b : 11. - С.1525-1529. - Библиогр.: 25 назв.

Доп.точки доступа: Резник, Р.Р.; Котляр, К.П.; Штром, И.В.; Сошников, И.П.; Кукушкин, С.А.; Осипов, А.В.; Цырлин, Г.Э.
Найти похожие
10.
ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния [Текст] / С.А. Грудинкин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов // ФТТ. - 2017. - b Т./b : 59, b №/b : 12. - С.2403-2408. - Библиогр.: 20 назв

Доп.точки доступа: Грудинкин, С.А.; Кукушкин, С.А.; Осипов, А.В.; Феоктистов, Н.А.
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание ЭК
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю