Поисковый запрос: (<.>A=Агринская, Н. В.$<.>) |
Общее количество найденных документов : 28
Показаны документы с 1 по 10 |
|
| 1. | ФТИ
ФТИ
Агринская, Н. В.
Молекулярная электроника [Текст] : учеб. пособие / Н.В. Агринская ; Мин-во образования РФ, С.-Петерб. гос. политехн. ун-т. - СПб. : Изд-во СПбГПУ, 2004. - 111 с. : ил. - Библиогр.: с. 110. - ISBN 5-7422-0537-6.
ББК Ф V-1.3 Ф VII-1.6 Ф VII-7.1
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИМЕРЫ -- органические полупроводники -- поверхность полупроводников -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Доп.точки доступа: Мин-во образования РФ; С.-Петерб. гос. политехн. ун-т
Найти похожие
| |
| 2. | ХР
Агринская, Н. В.
Исследование собственных дефектов решетки и их ассоциаций с примесями в кристаллах теллурида кадмия [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ-мат. наук / Н.В. Агринская ; ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР. - Л. : ФТИ, 1971. - 13 с.. - Библиогр.: с. 12-13
Специальность: 01.049 -физика полупроводников и диэлектриков
Доп.точки доступа: ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Найти похожие
| |
| 3. |
Агринская, Н. В.
Влияние температуры и магнитного поля на беспорядок в полупроводниковых структурах [Текст] / Н.В. Агринская, В.И. Козуб // ЖЭТФ. - 2017. - b Т./b : 151, b №/b : 2. - С.364-371
Доп.точки доступа: Козуб, В.И.
Найти похожие
| |
| 4. |
Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC [Текст] / Н.В. Агринская, А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, М.А. Шахов, E. Lahderanta // ФТП. - 2018. - b Т./b : 52, b №/b : 12. - С.1512-1517
Доп.точки доступа: Агринская, Н.В.; Лебедев, А.А.; Лебедев, С.П.; Шахов, М.А.; Lahderanta, E.
Найти похожие
| |
| 5. |
Агринская, Н. В.
Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям [Текст] / Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Д.C. Полоскин // Письма ЖЭТФ. - 2011. - b Т./b : 94, b №/b : 2. - С.120-124
Доп.точки доступа: Козуб, В.И.; Полоскин , Д.C.
Найти похожие
| |
| 6. |
Агринская, Н. В.
Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных двумерных структур вблизи перехода металл-диэлектрик [Текст] / Н.В. Агринская, В.И. Козуб // Письма ЖЭТФ. - 2013. - b Т./b : 98, b №/b : 5. - С.342-350
Доп.точки доступа: Козуб, В.И.
Найти похожие
| |
| 7. |
Агринская, Н. В.
Экспериментальное проявление коррелированных прыжков в температурных зависимостях проводимости легированного CdTe [Текст] / Н.В. Агринская, В.И. Козуб // ФТП. - 1998. - b Т./b : 32, b №/b : 6. - С.703-707. - Библиогр.: 15 назв.
Доп.точки доступа: Козуб, В.И.
Найти похожие
| |
| 8. |
Агринская, Н. В.
Универсальное описание кроссовера между моттовским режимом и режимом кулоновской щели в прыжковой проводимости: применение для компенсированного CdTe [Текст] / Н.В. Агринская, В.И. Козуб // ЖЭТФ. - 1999. - b Т./b : 116, b №/b : 6. - С.2079-2086. - Библиогр.: 14 назв.
Доп.точки доступа: Козуб, В.И.
Найти похожие
| |
| 9. |
Проявление varepsilon-проводимости в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников [Текст] / Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Т.А. Полянская, А.С. Саидов // ФТП. - 1999. - b Т./b : 33, b №/b : 2. - С.161-169
Доп.точки доступа: Агринская, Н.В.; Козуб, В.И.; Полянская, Т.А.; Саидов, А.С.
Найти похожие
| |
| 10. |
Исследование нелинейной оптической восприимчивости второго порядка в кристаллических молекулярных соединениях группы халконов [Текст] / Н.В. Агринская, В.В. Кудрявцев, В.А. Лукошкин, Г.И. Носова, Н.А. Соловская, А.В. Якиманский // ФТТ. - 1999. - b Т./b : 41, b №/b : 11. - С.2084-2087
Доп.точки доступа: Агринская, Н.В.; Кудрявцев, В.В.; Лукошкин, В.А.; Носова, Г.И.; Соловская, Н.А.; Якиманский, А.В.
Найти похожие
| |
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК