Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Стриха, В. И.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.    Ф|9731
   С85


    Стриха, В. И.
    Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике [Текст] / В.И. Стриха, Е.В. Бузанева. - М. : Радио и связь, 1987. - 254 с. : ил. - Библиогр.: с. 236 - 245. - 2.70 р.
ББК Ф VII-7 + Тх XII-2.940

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Доп.точки доступа: Бузанева, Е.В.
Найти похожие

2.    Ф|5426
   С 85


    Стриха, В. И.
    Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки [Текст] : физика, технология, применение / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева, И. А. Радзиевский. - М. : Советское радио, 1974. - 248 с. : ил. - 1.50 р.
ББК Ф VII-7

Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы

Доп.точки доступа: Бузанева, Е.В.; Радзиевский, И.А.
Найти похожие

3.    Ф|5120
   С 85


    Стриха, В. И.
    Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник [Текст] / В. И. Стриха. - Киев : Наук. думка, 1974. - 263 с. : ил. - 1.90 р.
ББК Ф VII-7

Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Доп.точки доступа: Ляшенко, В.И. \ред.\
Найти похожие

4.    Тх|7286
   С85


    Стриха, В. И.
    Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник [Текст] / В.И. Стриха, С.С. Кильчицкая. - СПб : Энергоатомиздат. С.-Петерб. отд-ние, 1992. - 136 с. - 1.63 р.
УДК

Рубрики: Техника

Доп.точки доступа: Кильчицкая, С.С.
Найти похожие

5.    Ф|13711
   С 85


    Стриха, В. И.
    Контактные явления в полупроводниках [Текст] : учеб. пособие для вузов / В.И. Стриха. - Киев : Вища шк., 1982. - 224 с. : ил. - Библиогр.: с. 221. - 100.00 р.
ББК Ф VII-7.3

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
Аннотация: Изложены физические основы работы контакта металл-полупроводник, p-n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаютс модели p-n перехода и контакта металл-проводник.

Найти похожие

6.    Тх|8127
   П 53


   
    Полупроводниковые приборы с
барьером Шоттки [Текст] : сб. науч. трудов / АН УССР Ин-т полупроводников, Мин-во высш. и сред. спец. образования УССР, Киев. гос. ун-т им. Т.Г.Шевченко ; ред. В. И. Стриха. - Киев : Наук. думка, 1979. - 236 с. : ил. - 150.00 р.
ББК Тх XII-2.1.1; 082

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы; сборник статей разных авторов
Аннотация: В сборнике рассматриваются физические процессы в приборах с барьером Шоттки: механизмы образования выпрямляющего барьера в контакте, переноса тока, фотоэлектрические явления в контакте металл-полупроводник и их применение для исследования полупроводников. Большое внимание уделяется приборам с барьером Шоттки на различных полупроводниках, физической надежности их работы. Анализируются элементы интегральной микроэлектроники с барьером Шоттки: транзисторы, тонкопленочные структуры, ПЭС. Рассчитан на научных сотрудников и инженеров, работающих в области полупроводниковой техники и микроэлектроники, а также на аспирантов и студентов вузов.

Доп.точки доступа: Стриха, В.И. \ред.\; АН УССР Ин-т полупроводниковМин-во высш. и сред. спец. образования УССР; Киев. гос. ун-т им. Т.Г.Шевченко
Найти похожие

7.    Ф|14246
   В 75


    Воробьев, Ю. В.
    Методы исследования полупроводников [Текст] / Ю.В. Воробьев, В.Н. Добровольский , В.И. Стриха. - Киев : Выща шк.(Головное изд-во), 1988. - 232 с. : ил. - ISBN 5-11-000230-4 : 100.00 р.
ББК Ф VII-1 + Ф VII-7

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОВЕРХНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов ( удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). Изложены физические принципы методик исследования полупроводников, приведены схемы экспериментальных установок, проанализированы условия применимости различных методик и основные источники их погрешностей. Для студентов физических и радиофизических специальностей.

Доп.точки доступа: Добровольский , В.Н.; Стриха, В.И.
Найти похожие