Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:ЭК отдела БАН при Институте химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (ИХС) (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Машовец, Т. В.$<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-11 
1.    Ф|7418
   Е60


    Емцев, В. В.
    Примеси и точечные дефекты в полупроводниках [Текст] / В.В. Емцев, Т.В. Машовец; Ред. С.М. Рывкин. - М. : Радио и связь, 1981. - 248 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 215 - 246. - 2.50 р.
ББК Ф VII-1.1

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Доп.точки доступа: Машовец, Т.В.; Рывкин, С.М. \ред.\
Найти похожие

2.    Ф|4748
   Т 64


   
    Точечные дефекты в
твердых телах [Текст] : сб. статей / пер. с англ. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец, А.Н. Орлова. - М. : Мир , 1979. - 384 с. - (Новости физики твердого тела ; вып. 9). - 4.00 р.
ББК Ф V-2.2.1

Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
точечные дефекты

Доп.точки доступа: Болтакс, Б.И. \пер.\; Машовец, Т.В. \пер.\; Орлов, А.Н. \пер.\
Найти похожие

3.    М 38|1975

    Машовец, Т. В.
    Точечные дефекты в алмазоподобных полупроводниках [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Т.В. Машовец ; ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР. - Л. : ФТИ, 1975. - 33 с. - Библиогр.: с. 28-32
Специальность: 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков
УДК


Доп.точки доступа: ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Найти похожие

4.    М 38|1956

    Машовец, Т. В.
    Влияние термообработки на время жизни неосновных носителей тока в германии [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Т.В. Машовец ; ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР. - Л. : ФТИ, 1956. - 10 с.
Специальность: 01.04.10 - физика полупроводников
УДК


Доп.точки доступа: ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Найти похожие

5.

    Агринская, Н. В.
    Самокомпенсация в полупроводниках [Текст] / Н.В. Агринская, Т.В. Машовец // ФТП. - 1994. - Т.: 28, : 9. - С. 1505-1534


Доп.точки доступа: Машовец, Т.В.
Найти похожие

6.

    Емцев, В. В.
    Аннигиляция пар Френкеля в полупроводниках [Текст] / В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович // ФТП. - 1993. - Т.: 7, : 4. - С. 708-712


Доп.точки доступа: Машовец, Т.В.; Михнович, В.В.
Найти похожие

7.

   
    Образование двойных термодоноров
в Cz-Si с различной концентрацией кислорода [Текст] / В.В. Емцев, Т.В. Машовец, Г.А. Оганесян, К. Шмальц // ФТП. - 1993. - Т.: 7, : 9. - С. 1545-1548. - Библиогр.: 12 назв.


Доп.точки доступа: Емцев, В.В.; Машовец, Т.В.; Оганесян, Г.А.; Шмальц, К.
Найти похожие

8.

    Емцев, В. В.
    Пары Френкеля в германии и кремнии [Текст] : обзор / В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович // ФТП. - 1992. - Т.: 26, : 1. - С. 22-44. - Библиогр.: 69 назв.


Доп.точки доступа: Машовец, Т.В.; Михнович, В.В.
Найти похожие

9.

    Емцев, В. В.
    Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии [Текст] / В.В. Емцев, П.М. Клингер, Т.В. Машовец // ФТП. - 1991. - Т.: 25, : 1. - С. 45-49. - Библиогр.: 15 назв.


Доп.точки доступа: Клингер, П.М.; Машовец, Т.В.
Найти похожие

10.

    Емцев, В. В.
    Проявление пар Френкеля в p-германии при низкотемпературном gamma-облучении [Текст] / В.В. Емцев, Т.В. Машовец, Д.С. Полоскин // ФТП. - 1991. - Т.: 25, : 2. - С. 191-196. - Библиогр.: 13 назв.


Доп.точки доступа: Машовец, Т.В.; Полоскин, Д.С.
Найти похожие

 1-10    11-11