Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Булярский, С. В.$<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.    Ф|9439
   Б90


    Булярский, С. В.
    Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах [Текст] / С.В. Булярский; Ред. С.И. Радауцан. - Кишинев : Штиинца, 1987. - 103 с. : ил. - Библиогр.: с. 90 - 100. - 1.10 р.
ББК Ф VII-1.1

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ -- AIIIBV

Доп.точки доступа: Радауцан, С.И. \ред.\
Найти похожие

2.    Ф|12210
   Б 90


    Булярский, С. В.
    Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках [Текст] : монография / С.В. Булярский, В.И. Фистуль. - М. : Наука, 1997. - 351 с. - Библиогр.: с. 342-351. - ISBN 5-02-015164-5 : 14-00 р.
УДК

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
дефекты полупроводников -- Термодинамика полупроводников

Доп.точки доступа: Фистуль, В.И.
Найти похожие

3.    Ф|12297
   Б 90


    Булярский, С. В.
    Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах [Текст] : монография / С.В. Булярский, Н.С.Грушко. - М. : Изд-во Моск. ун-та, 1995. - 399 с. - (Программа "Университеты России"). - ISBN 5-211-03487-2 : 5-00 р.
УДК

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Электронная структура -- электрические свойства полупроводников -- Термодинамика полупроводников -- дефекты в полупроводниках
Аннотация: Рассмотрены особенности протекания генерационно-рекомбинационных (ГР) процессов в полупроводниковых структурах, содержащих область пространственного заряда, в частности вопросы поведения кинетических коэффициентов, описывающих ГР в сильных электрических полях и с учетом электрон-фононного взаимодействия. Разбираются различные аспекты данных процессов при моно- и биполярной инжекции, в однородных и неоднородных структурах, стационарные и нестационарные. В связи с проблемами наноэлектроники описываются методы токовой диагностики параметров рекомбинационных центров, опирающиеся на исследование ГР процессов в активных элементах. ГР-процессы связаны с дефектообразованием как прямым, так и косвенным образом. В этой связи изучаются и вышеуказанные процессы. Построена удобная термодинамическая модель, описывающая дефектообразование взаимодействующих дефектов. В том числе исследованы варианты распада комплексов в областях пространственного заряда.Книга предназначена для специалистов, занимающихся проблемами физики, диагностики качества и надежности полупроводниковых приборов. Намеренно освещены достаточно подробно некоторые широко известные вопросы, что позволяет использовать монографию в качестве дополнительного учебного пособия по курсам "физика полупроводниковых приборов" и "физика активных элементов".

Доп.точки доступа: Грушко, Н.С.
Найти похожие

4.    Ф|12396
   К 82


   
    Критические технологии и
фундаментальные проблемы физики конденсированных сред [Текст] : тр. лекторов Школы, май 1999, г. Ульяновск / под ред. С.В. Булярского. - Ульяновск : УлГУ, 1999. - 174 с. - ISBN 5-88866-040-Х : Б. ц.
УДК

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Физика твердого тела

Доп.точки доступа: Булярский, С.В. \ред.\
Найти похожие

5.

   
    Туннельная рекомбинация в
полупроводниковых структурах с наноразупорядочением [Текст] / С.В. Булярский, Ю.В. Руд, Л.Н. Вострецова, А.С. Кагарманов, О.А. Трифонов // ФТП. - С., 2009. - Т.: 43, : 4. - 460-466. . - Библиогр.: 15 назв.


Доп.точки доступа: Булярский, С.В.; Рудь, Ю.В.; Вострецова, Л.Н.; Кагарманов, А.С.; Трифонов, О.А.
Найти похожие