Поисковый запрос: (<.>K=migration<.>) |
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. | Ф|9700 B46
Berkhout, A. J. Seismic Migration Imaging of Acoustic Energy by Wave Field Extrapolation [Текст]. 14. B / A. J. Berkhout. - Amsterdam : [б. и.], 1984. - 274 p. - 60.00 р.
Найти похожие
|
2. | Ф|9700 B46
Berkhout, A. J. Seismic Migration Imaging of Acoustic Energy by Wave Field Extrapolation [Текст]. Vol. 14. Pt. A / A. J. Berkhout. - Amsterdam : [б. и.], 1985. - 445 p. - 60.00 р.
Найти похожие
|
3. | Ф|9173 W25
Wapenaar, C. P.A. Pre-stack migration in two and dimensions [Текст] : proefschr. ... Techn. hogeschool Delft / C.P.A. Wapenaar. - Delft : [б. и.], 1986. - xi, 242 p. : ill. - Библиогр.: с. 232-237. - 3.00 р. Рез.: гол. На обл. авт.: Kees Wapenaar Рубрики: ФИЗИКА
Найти похожие
|
4. |
INAS/GAAS QUANTUM DOTS OBTAINED BY SUBMONOLAYER MIGRATION-ENHANCED EPITAXY [Текст] / G.E. TSYRLIN, A.O. GOLUBOK, S.Y. TIPISEV, N.N. LEDENTSOV> // Semiconductors. - 1995. - Vol.: 29, N : 9. - С. 884-886
Доп.точки доступа: TSYRLIN, G.E.; GOLUBOK, A.O.; TIPISEV, S.Y.; LEDENTSOV, N.N. Найти похожие
|
5. |
InAs/GaAs quantum dots obtained by submonolayer migration-enhance depitaxy (vol 29, pg 884, 1995) [Текст] / G.E. Tsyrlin, A.O. Golubok, S.Y. Tipisev, N.N. Ledentsov, G.M. Guryanov> // Semiconductors. - 1996. - Vol.: 30, N : 3. - С. 314-314
Доп.точки доступа: Tsyrlin, G.E.; Golubok, A.O.; Tipisev, S.Y.; Ledentsov, N.N.; Guryanov, G.M. Найти похожие
|
6. |
Self-organization of quantum dots in multilayer InAs/GaAs andInGaAs/GaAs structures by submonolayer migration-stimulated epitaxy [Текст] / G.E. Cirlin, V.N. Petrov, S.A. Masalov, A.O. Golubok, N.N. Ledentsov> // Tech. Phys. Letters. - 1997. - Vol.: 23, N : 11. - С. 893-894
Доп.точки доступа: Cirlin, G.E.; Petrov, V.N.; Masalov, S.A.; Golubok, A.O.; Ledentsov, N.N. Найти похожие
|
7. |
Luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots prepared by submonolayer migration-stimulated epitaxy [Текст] / G.E. Tsyrlin, V.N. Petrov, M.V. Maksimov, N.N. Ledentsov> // Semiconductors. - 1997. - Vol.: 31, N : 8. - С. 777-780
Доп.точки доступа: Tsyrlin, G.E.; Petrov, V.N.; Maksimov, M.V.; Ledentsov, N.N. Найти похожие
|
8. |
Vikhnin, V. Mechanism of energy migration due to charge transfer vibronic excitons: role of ferroelectric phase transition in solid solutions KTa1-xNbxO3 [Текст] / V. Vikhnin, H. Liu, W. Jia> // Phys. Letters A. - 1998. - Vol.: 245, N : 3-4. - С. 307-316
Доп.точки доступа: Liu, H.; Jia, W. Найти похожие
|
9. |
Peculiarities of migration-enhanced-epitaxy (MEE) versus molecular beam epitaxy (MBE) growth kinetics of CdSe fractional monolayers in ZnSe [Текст] / S. Sorokin, T. Shubina, A. Toropov, I. Sedova, A. Sitnikova, R. Zolotareva, S. Ivanov, P. Kop'ev> // J. Cryst. Growth. - 1999. - Vol.: 202. - С. 461-464
Доп.точки доступа: Sorokin, S.; Shubina, T.; Toropov, A.; Sedova, I.; Sitnikova, A.; Zolotareva, R.; Ivanov, S.; Kop'ev, P. Найти похожие
|
10. |
Energy migration and energy transfer processes in RE3+ doped nanocrystalline yttrium oxide [Text] / A.B. Kutsenko, S.E. Kapphan, R. Demirbilek, B.I. Zakharchenya, J. Heber> // Phys. Status Solidi C. - 2005. - Vol.: 2, № : 1. - P. 685-688
Доп.точки доступа: Kutsenko , A.B.; Kapphan, S.E.; Demirbilek, R.; Zakharchenya, R.I.; Heber, J. Найти похожие
|
|
|