Поисковый запрос: (<.>K=ТРАНЗИСТОРЫ<.>) |
Общее количество найденных документов : 158
Показаны документы с 1 по 10 |
|
| 1. | ФТИ
Beneking, H.
Feldeffekttransistoren [Текст] / H. Beneking. - Berlin ; Heidelberg : Springer-Verlag, 1973. - 246 p. : il.. - (Halbleiter-Elektronik Yerausgegeben von W. Heywang und R. Muller ; band 7). - Библиогр.: с. 226-239. - ISBN 3-540-06377-3.
Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Найти похожие
| |
| 2. | ХР
ХР
Blicher, A.
Field-effect and bipolar power transistor physics [Текст] / A. Blicher. - New York : Acad. Press, 1981. - xxiv, 312 p. : il. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 0-12-105850-6.
ББК Ф VII-7 Тх XII-1.22
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ -- ТРАНЗИСТОРЫ
Найти похожие
| |
| 3. | ФТИ
Coblenz, Abraham .
Transistors. Theory and applications [Text] / A. Coblenz, H. L. Owens. - New York ; Toronto ; London : McGraw-Hill Book Company, 1955. - XVI, 313 с. : ил.. - Библиогр. в конце глав
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Транзисторы
Доп.точки доступа: Owens, Harry L.
Найти похожие
| |
| 4. | ФТИ
Getreu, I. E.
Modeling the Bipolar Transistor [Текст] / I. E. Getreu. - Amsterdam ; Oxford ; New York : Elsevier Scientific Publishing Company, 1978. - 261 p. : il.. - (CAD of Electronic Circuits ; vol. I). - Библиогр.: с. 255-261
Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА -- ТРАНЗИСТОРЫ
Найти похожие
| |
| 5. | ФТИ
Hansch, W.
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling [Текст] / W. Hansch. - Wien ; New York : Springer-Verlag, 1991. - 271 p. : il.. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 3-211-82222-4.
Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРЫ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ
Найти похожие
| |
| 6. | http://ebooks.springerlink.com
High dielectric constant materials: VLSI MOSFET [Electronic resource] : научное издание / eds: H.R. Huff, D. C. Gilmer. - Berlin ; New York : Springer Science + Business Media ; Berlin ; Heidelberg : Springer-Verlag, 2005. - 710 p. - (Applications Springer Series in Advanced Microelectronics, ISSN 1437-0387 ; vol. 16). - ISBN 3-540-21081-4.
Электронная книга находится на постоянном доступе по адресу: http://ebooks.springerlink.com
Рубрики: Техника
Физика
Кл.слова (ненормированные):
полевые транзисторы -- диэлектрическая проницаемость -- подзатворный диэлектрик
Перейти: Springer eBooks
Доп.точки доступа: Huff, H.R. \ed.\; Gilmer, D. C. \ed.\
Найти похожие
| |
| 7. | ФТИ
Hurley, Richard Belmont .
Junction transistor electronics [Текст] / R. B. Hurley. - 3d print. - New York ; London : Wiley, 1960. - XVIII, 473 с. : ил.. - Библиогр. в конце глав
Кл.слова (ненормированные):
электроника -- транзисторы
Найти похожие
| |
| 8. | http://ebooks.springerlink.com
Kasper, E.
Silicon quantum integrated circuits: silicon-germanium heterostructure devices: basics and realisations [Electronic resource] : научное издание / E. Kasper, D.J. Paul. - Berlin ; New York : Springer Science + Business Media, 2005. - 361 p. - (Nanoscience and Technology, ISSN 1434-4904 ). - ISBN 3-540-22050-X.
Электронная книга находится на постоянном доступе по адресу: http://ebooks.springerlink.com
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- полупроводниковые квантовые структуры -- транзисторы на гетеропереходах
Перейти: Springer eBooks
Доп.точки доступа: Paul, D.J.
Найти похожие
| |
| 9. | ФТИ
Krugman, L. M.
Fundamentals of transistors [Текст] / L. M. Krugman. - London : Chapman & Hall, 1954. - 140 p
ББК Ф V-1
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТРАНЗИСТОРЫ
Найти похожие
| |
| 10. | ФТИ
Levinshtein, M.
Transistors. From crystals to integrated circuits [Text] : монография / M. Levinshtein, G.Simin; transl. M.M. Perelman. - Singapore : World Scientific, 1998. - XII,241 p.. - ISBN 981-02-2743-4.
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Популярная физика -- Полупроводники -- Транзисторы
Доп.точки доступа: Simin, G.; Perelman, M.M. \transl.\
Найти похожие
| |
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК