Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (302)ЭК отдела БАН при Зоологическом институте РАН (ЗИН) (1)ЭК сектора БАН при Институте геологии и геохронологии докембрия РАН (ИГГД) (2)ЭК отдела БАН при Институте озероведения РАН (ИНОЗ) (1)ЭК отдела БАН при Музее антропологии и этнографии им. Петра Великого (Кунсткамера) РАН (МАЭ) (1)ЭК отдела БАН при Санкт-Петербургском Институте истории РАН (СПб ИИ) (1)ЭК сектора БАН при Санкт-Петербургском филиале архива РАН (СПб ФА РАН) (1)ЭК отдела БАН при Институте лингвистических исследований РАН (ИЛИ) (1)ЭК отдела БАН при Институте высокомолекулярных соединений РАН (ИВС) (1)ЭК отдела БАН при Институте химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (ИХС) (135)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Полупроводники<.>)
Общее количество найденных документов : 747
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Взаимодействие дифракционных резонансов в пленочных гибридных структурах опал/Ge2Sb2Te5/А.Б. Певцов, М.М. Воронов, С.А. Яковлев, Д.А. Курдюков, В.Г. Голубев // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.171-172
2.

Структура и электрические свойства сплавов халькогенидной системы Fe1-xMx(Se,Te) (M=Ge, Sn, Pb, Cu, Zn) /Б.Т. Мелех, М.П. Волков, Н.Ф. Картенко, Д.Д. Прокофьев // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.167-168
3.

Состав и структура стекол системы AsхS100-х (х=52-60)/В.Х. Кудоярова, С.А. Козюхин, А.Н. Смирнов, В.В. Соколов, А.И. Варгунин // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.179-180
4.

Структурные и электрические свойства аморфных пленок Ge2Sb2Te5 полученных методом лазерного электродиспергирования/Д.А. Явсин, В.М. Кожевин, С.А. Гуревич, С.А. Яковлев, Б.Т. Мелех, А.Б. Певцов // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.173-174
5.

Эффекты переключения и памяти в композитных пленках поливинилкарбазола с частицами графена и оксида графена/А.С. Берестенников, П.С. Крылов, В.Н. Петров, И.Н. Трапезникова, А.Н. Алешин // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.157-158
6.

Получение ncl-Si в матрице a-SiOx:H (2 > x > 0) с помощью модулированной DC-плазмы/Ю.К. Ундалов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, И.Н. Трапезникова // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.130-131
7.

Влияние дефектов и примесей на параметры пленок и наностержней ZnO/М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, В.С Левицкий, Н.М. Лянгузов, Е.М. Кайдашев, Е.И. Теруков, Ю.А. Шафир // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.128-129
8.

Кузьмин М.В. Влияние осцилляций Фриделя, генерируемых границей раздела Yb-Si(111), на эмиссионные свойства пленок иттербия нанометровой толщины/М.В. Кузьмин, М.А. Митцев // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.142-143
9.

Фотоэлектрические характеристики структур на основе аморфных наночастиц кремния/О.С. Кен, Д.А. Андроников, Д.А. Явсин, А.В. Кукин, О.М. Сресели // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.140-141
10.

Рыжов В.А. Длинноволновые инфракрасные спектры состава Ge15Sb15Tе70 в стеклообразном и кристаллическом состоянии/В.А. Рыжов, Д. Арсова // Аморф. микрокристал. полупроводники. -СПб., 2014.-С.190-192
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60