Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|3011 Vol. 76/T45
Заглавие : Thin-film diamond I
Выходные данные : Amsterdam etc.: Elsevier, 2004
Колич.характеристики :465 p
Серия: Semiconductors and semimetals; Vol. 76
ISBN, Цена 0127521860: 9104.62, р.
ББК : Ф VII-7.2 + Ф VII-7.3 + Ф VII-1.8/9 + Ф V-9.2/3 + Ф V-1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): получение полупроводниковых кристаллов--тонкие пленки--наноструктуры
Аннотация: This volume reviews the state of the art of thin film diamond, a very promising new semiconductor that may one day rival silicon as the material of choice for electronics. Diamond has the following important characteristics; it is resistant to radiation damage, chemically inert and biocompatible and it will become "the material" for bio-electronics, in-vivo applications, radiation detectors and high-frequency devices. Thin-Film Diamond is the first book to summarize state of the art of CVD diamond in depth. It covers the most recent results regarding growth and structural properties, doping and defect characterization, hydrogen in and on diamond as well as surface properties in general, applications of diamond in electrochemistry, as detectors, and in surface acoustic wave devices.· Accessible by both experts and non-experts in the field of semi-conductors research and technology, each chapter is written in a tutorial format· Helping engineers to manufacture devices with optimized electronic properties· Truly international, this volume contains chapters written by recognized experts representing academic and industrial institutions from Europe, Japan and the US
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|12935/В 92
Заглавие : Выращивание кристаллических изделий способом Степанова, пластичность и прочность кристаллов : всероссийское совещание ( 22-24 окт., 2003 г., С.-Петербург): программа: тез. докл.
Выходные данные : СПб.: ФТИ, 2003
Колич.характеристики :91 с.: ил Выращивание кристаллических изделий способом Степанова, пластичность и прочность кристаллов: всерос. совещание(22-24 окт., 2003;С.-Петербург)
Примечания : Библиогр. в конце ст
Цена : б/ц,
ББК : Ф V-2.3 + Ф VII-1.9
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рост кристаллов--получение полупроводниковых кристаллов--получение полупроводниковых пленок
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|13714/В 92
Заглавие : Выращивание профилированных кристаллов и изделий из расплава способом Степанова : указ. отеч. и иностр. лит. 1980-1986 гг.
Выходные данные : Л.: Изд-во БАН, 1988
Колич.характеристики :121 с
Коллективы : Физико-технический ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН, Б-ка Рос. акад. наук
Цена : б/ц,
ББК : Ф V-2.3 + Ф VII-1.9
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рост кристаллов--получение полупроводниковых кристаллов
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|5105/Д 69
Автор(ы) : Дорфман В.Ф.
Заглавие : Газофазная микрометаллургия полупроводников
Выходные данные : М.: Металлургия, 1974
Колич.характеристики :190 с.: ил.
Цена : 1.06, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: Физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): получение полупроводниковых кристаллов
Экземпляры : всего : ФТИ(2)
Свободны : ФТИ(2)
Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|8784/А46
Автор(ы) : Александров Л.Н.
Заглавие : Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок
Выходные данные : Новосибирск: Наука, 1985
Колич.характеристики :224 с.: ил
Коллективы : Ин-т физики полупроводников СО АН СССР
Примечания : Библиогр.: с. 203 - 223
Цена : 3-00, р.
ББК : Ф V-2.3 + Ф V-9 + Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рост кристаллов--тонкие пленки--получение полупроводниковых кристаллов
Экземпляры : всего : ХР(2)
Свободны : ХР(2)
Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9978/С79
Автор(ы) : Степанов А.Е., Кириллова Л.Г.
Заглавие : Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1988
Колич.характеристики :181, [3] с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 176-182 (130 назв.)
ISBN, Цена 5-12009333-7: 2.20, р.
ББК : Ф VII 1-1 + Ф V 2.3 + Ф IX-4.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): получение полупроводниковых кристаллов--рост кристаллов--моделирование
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|8074/З-17
Автор(ы) : Зайнабидинов С.З., Рубинова Э.Э.
Заглавие : Нейтронно-трансмутационное легирование кремния
Выходные данные : Ташкент: Фан, 1983
Колич.характеристики :93 с.: ил
Коллективы : Ташкентский Гос. ун-т им. В.И. Ленина
Примечания : Библиогр.: с. 89 - 92
Цена : 0.80, р.
ББК : Ф VII-1.1 + Тх XII-1.29 + Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): получение полупроводниковых кристаллов--технологии полупроводников--германий, кремний
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие

8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|7332/П84
Заглавие : Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок : Сб. статей
Выходные данные : Новосибирск: Наука, 1981
Колич.характеристики :278 с.: ил
Коллективы : Ин-т неорган. химии СО АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст
Цена : 3.10, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): получение полупроводниковых кристаллов
Экземпляры : всего : ХР(2)
Свободны : ХР(2)
Найти похожие

9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|7331/С38
Заглавие : Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников : Сб. статей
Выходные данные : Новосибирск: Наука, 1981
Колич.характеристики :232 с.: ил
Коллективы : Ин-т физики полупроводников СО АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст
Цена : 3.10, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): получение полупроводниковых кристаллов
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие