Библиотека Российской академии наук (БАН)

Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных

ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)

ЭК изданий на восточных языках отдела литературы стран Азии и Африки (ОЛСАА)

Имидж-каталог БАН

Рукописный фонд БАН

Фонд редкой книги БАН

Газетный фонд БАН

Подносные экземпляры из библиотеки Петра I

Рукописи старообрядцев-скрытников из Каргопольского собрания

Наука в СССР в годы Великой Отечественной войны 1941 - 1945 гг.

Русские биографические и биобиблиографические словари и справочники, 1956-2000 гг.

Санкт-Петербургские ведомости (1728 - 1781)

ЭК подразделений БАН при научно-исследовательских учреждениях (НИУ)
- ЭК подразделений БАН при НИУ физико-математического профиля
  - ЭК отдела БАН при Главной (Пулковской) астрономической обсерватории РАН (ГАО)
  - ЭК сектора БАН при Институте прикладной астрономии РАН (ИПА)
  - ЭК отдела БАН при Санкт-Петербургском отделении Математического института им. В.А. Стеклова РАН (ПОМИ)
- ЭК подразделений БАН при НИУ химического профиля
  - ЭК отдела БАН при Институте высокомолекулярных соединений РАН (ИВС)
  - ЭК отдела БАН при Институте химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (ИХС)
- ЭК подразделений БАН при НИУ биологического профиля
- ЭК подразделений БАН при НИУ геолого-географического профиля
  - ЭК сектора БАН при Институте геологии и геохронологии докембрия РАН (ИГГД)
  - ЭК отдела БАН при Институте озероведения РАН (ИНОЗ)
- ЭК подразделений БАН при НИУ общественного и гуманитарного профиля

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ<.>)

Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-29

1.

   Ф|12190 Vol. 16
   A22


    Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics [Text] : монография / ed. by M. Dutta, M.A. Stroscio. - Singapore etc. : World Sci., 2000. - 430 p. : il. - (Selected topics in electronics and systems : the age of maturity ; vol. 16). - ISBN 981-02-4257-3 : 5236.21 р.

ББК Тх XII-2.2 + Ф XIII-1.833

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Оптоэлектроника -- Полупроводниковые лазеры
Аннотация: his volume includes highlights of the theories underlying the essential phenomena occurring in novel semiconductor lasers as well as the principles of operation of selected heterostructure lasers. To understand scattering processes in heterostructure lasers and related optoelectronic devices, it is essential to consider the role of dimensional confinement of charge carriers as well as acoustical and optical phonons in quantum structures. Indeed, it is important to consider the confinement of both phonons and carriers in the design and modeling of novel semiconductor lasers such as the tunnel injection laser, quantum well intersubband lasers, and quantum dot lasers. The full exploitation of dimensional confinement leads to the exciting new capability of scattering time engineering in novel semiconductor lasers.??As a result of continuing advances in techniques for growing quantum heterostructures, recent developments are likely to be followed in coming years by many more advances in semiconductor lasers and optoelectronics. As our understanding of these devices and the ability to fabricate them grow, so does our need for more sophisticated theories and simulation methods bridging the gap between quantum and classical transport.

Доп.точки доступа: Dutta, M. \ed.\; Stroscio, M.A. \ed.\
Найти похожие

2.

   Ф|12651
   C55

    Chow, W. W.
    Semiconductor-laser fundamentals: physics of the gain materials [Text] / W.W. Chow, S.W. Koch. - Berlin etc. : Springer, 1999. - 245 p. : il. - Библиогр.: с. 235-240. - ISBN 3-540-64166-1 : 2210.92 р.

ББК Ф XIII-1.833

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ -- SEMICONDUCTOR LASERS

Доп.точки доступа: Koch, S.W.
Найти похожие

3.

   Ф|12476
   C69

    Coldren, L. A.
    Diode lasers and photonic integrated circuits [Text] : монография / L.A. Coldren, S.W. Corzine. - New York : Wiley, 1995. - xxiii, 594 p. - (Wiley series in microwave and optical engineering). - ISBN 0-471-11875-3 : 5070-00 р.

УДК

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые лазеры

Доп.точки доступа: Corzine, S.W.
Найти похожие

4.

   Ф|13560
   C74


    Compact sources of ultrashort pulses [Text] / ed. by I.N. Duling. - Cambridge : Cambridge Univ. Press, 2006. - 430 p. : il. - (Cambridge studies in modern optics). - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-0-521-03165-3 : 1200.00 р.

ББК Ф XIII-1.83 + Ф XIII-1.833

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ЛАЗЕРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ

Доп.точки доступа: Duling, I.N. \ed.\
Найти похожие

5.

   Ф|14185
   E63

    Epperlein, Peter W. .
    Semiconductor Laser Engineering, Reliability and Diagnostics [Текст] : a Practical Approach to High Power and Single Mode Devices / P. W. Epperlein. - Chichester : John Wiley & Sons, 2013. - XXIV, 496 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-1-119-99033-8 : 5620.00 р.

ББК Ф XIII-1.833

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры
Аннотация: This reference book provides a fully integrated novel approach to the development of high-power, single-transverse mode, edge-emitting diode lasers by addressing the complementary topics of device engineering, reliability engineering and device diagnostics in the same book, and thus closes the gap in the current book literature. Diode laser fundamentals are discussed, followed by an elaborate discussion of problem-oriented design guidelines and techniques, and by a systematic treatment of the origins of laser degradation and a thorough exploration of the engineering means to enhance the optical strength of the laser. Stability criteria of critical laser characteristics and key laser robustness factors are discussed along with clear design considerations in the context of reliability engineering approaches and models, and typical programs for reliability tests and laser product qualifications. Novel, advanced diagnostic methods are reviewed to discuss, for the first time in detail in book literature, performance- and reliability-impacting factors such as temperature, stress and material instabilities. Further key features include: * practical design guidelines that consider also reliability related effects, key laser robustness factors, basic laser fabrication and packaging issues; * detailed discussion of diagnostic investigations of diode lasers, the fundamentals of the applied approaches and techniques, many of them pioneered by the author to be fit-for-purpose and novel in the application; * systematic insight into laser degradation modes such as catastrophic optical damage, and a wide range of technologies to increase the optical strength of diode lasers; * coverage of basic concepts and techniques of laser reliability engineering with details on a standard commercial high power laser reliability test program. Semiconductor Laser Engineering, Reliability and Diagnostics reflects the extensive expertise of the author in the diode laser field both as a top scientific researcher as well as a key developer of high-power highly reliable devices. With invaluable practical advice, this new reference book is suited to practising researchers in diode laser technologies, and to postgraduate engineering students.

Найти похожие

6.

   Ф|12190
   H65


    High speed diode lasers [Text] : сборник / ed. by S.A.Gurevich. - Singapore etc. : World Sci., 1998. - 198 p. - (Selected topics in electronics and systems ; vol. 11). - ISBN 981-02-3237-3 : 20-00 р.

УДК

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые лазеры

Доп.точки доступа: Gurevich, S.A. \ed.\
Найти похожие

7.

   Ф|7637
   H78

    Hoonhout, D.
    Pulsed-laser annealing of ion-implanted silicon [Текст] : acad. proefschr. Univ. van Amsterdam / D. Hoonhout. - [Б. м. : б. и.], 1980. - 123 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 2.00 р.

ББК Ф ХIII-1.833 + Ф VII-1.1

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ -- ГЕРМАНИЙ, КРЕМНИЙ

Найти похожие

8.

   Тх|7551 Vol. 5
   K45

    Kim, J.
    Nonclassical light from semiconductor lasers and LEDs [Text] / J. Kim, S. Somani, Y. Yamamoto. - Berlin etc. : Springer, 2001. - 244 p. : il. - (Springer ser. in photonics ; vol. 5). - Библиогр.: с. 225-240 . - ISBN 3-540-67717-8 : 2544.79 р.

ББК Ф XIII-1.833 + Тх XIII-2.2.2

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ -- ФОТОЭЛЕМЕНТЫ

Доп.точки доступа: Somani, S.; Yamamoto, Y.
Найти похожие

9.

   Ф|12361
   N18

    Nakamura, S.
    The blue laser diode: GaN based light emitters and lasers [Text] : монография / S. Nakamura, G. Fasol. - Berlin etc. : Springer, 1997. - xvi, 343 p. - Bibliogr.: 430 ref. - ISBN 3-540-61590-3 : 147-00 р.

УДК

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые лазеры -- AIIIBV

Доп.точки доступа: Fasol, G.
Найти похожие

10.

   Ф|4204
   N21


    Nanostructures: physics and technology [Text] : proc. 8th Intern. symp. St Petersburg, June 19-23, 2000 / Ioffe Physico-Technical Institute ; co-chairs: Zh. Alferov, L. EsakiI. - St.-Petersburg : Ioffe Inst., 2000. - 567 p. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-93634-002-3 : Б. ц.

УДК

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- нанотехнологии -- Полупроводниковые лазеры

Доп.точки доступа: Alferov, Zh. \hair.\; Esaki, L. \hair.\; International symposium on nanostructures: physics and technology (8 ; 2000 ; St Petersburg)
Найти похожие

1-10 11-20 21-29

Описание ЭК

Стандартный

Расширенный

Профессиональный

По словарю