Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (62)ЭК отдела БАН при Институте высокомолекулярных соединений РАН (ИВС) (1)ЭК отдела БАН при Институте химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (ИХС) (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 103
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Ильинский, А. В.
Фазовый переход полупроводник-металл [Текст] : гл. 3.2 / А.В. Ильинский, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин // Физ. неупоряд. и наноструктур. оксидов и халькогенидов металлов. - СПб. : Изд-во РГПУ им. А.И. Герцена, 2011. - С.211-266

Доп.точки доступа: Ханин, С.Д.; Шадрин, Е.Б.
Найти похожие


2.
Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия [Текст] / А.М. Иванов, И.М. Котина, М.С. Ласаков, Н.Б. Строкан, Л.М. Тухконен // ФТП. - 2010. - b Т./b : 44, b №/b : 8. - С.1064-1067

Доп.точки доступа: Иванов, А.М.; Котина, И.М.; Ласаков, М.С.; Строкан, Н.Б.; Тухконен, Л.М.
Найти похожие


3.
Астров, Ю. А.
Гексагональные структуры тока в системе " полупроводник-газоразрядный промежуток" [Текст] / Ю.А. Астров, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель // ЖТФ. - 2011. - b Т./b : 81, b №/b : 2. - С.42-47. - Библиогр.: 15 назв.

Доп.точки доступа: Лодыгин, А.Н.; Порцель, Л.М.
Найти похожие


4.
Исследование композитной структуры магнитоупорядоченный материал-полупроводник на основе пористого кремния и кобальта [Текст] / A. Lashkul, И.В. Плешаков, Н.В. Глебова, А.А. Нечитайлов, Ю.И. Кузьмин, В.В. Матвеев, Е.Н. Пятышев, А.Н. Казакин, А.В. Глуховской // Письма ЖТФ . - 2011. - b Т./b : 37, b №/b : 14. - С.40-46

Доп.точки доступа: Lashkul, A.; Плешаков, И.В.; Глебова, Н.В.; Нечитайлов, А.А.; Кузьмин, Ю.И.; Матвеев , В.В.; Пятышев, Е.Н.; Казакин, А.Н.; Глуховской, А.В.
Найти похожие


5.
Андреев, В. Н.
Влияние деформации на фазовый переход металл--полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия [Текст] / В.Н. Андреев, В.А. Климов // ФТТ. - 2011. - b Т./b : 53, b №/b : 3. - С.538-543. - Библиогр.: 18 назв.

Доп.точки доступа: Климов, В.А.
Найти похожие


6.
Андреев, В. Н.
Влияние фазового перехода металл--полупроводник на скорость внедрения водорода в тонкие пленки диоксида ванадия [Текст] / В.Н. Андреев, В.А. Климов // ФТТ. - 2010. - b Т./b : 52, b №/b : 3. - С.557-563. - Библиогр.: 15 назв.

Доп.точки доступа: Климов, В.А.
Найти похожие


7.
Берман, Л. С.
Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник [Текст] / Л.С. Берман // ФТП. - 2005. - b Т./b : 39, b №/b : 3. - С.332-335. - Библиогр.: 21 назв.

Найти похожие


8.
Влияние вакуумной термообработки тонких пленок диоксида ванадия на фазовый переход металл-полупроводник [Текст] / Р.А. Алиев, В.Н. Андреев, В.А. Климов, В.М. Лебедев. С.Е. Никитин. Е.И. Теруков, Е.Б. Шадрин // ЖТФ. - 2005. - b Т./b : 75, b №/b : 6. - С.81-84. - Библиогр.: 14 назв.

Доп.точки доступа: Алиев, Р.А.; Андреев, В.Н.; Климов, В.А.; Лебедев, В.М.; Никитин, С.Е.; Теруков, Е.И.; Шадрин, Е.Б.
Найти похожие


9.
Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник по спектрам брэгговского отражения света [Текст] / Г.М. Гаджиев, В.Г. Голубев, Д.А. Курдюков, А.Б. Певцов, А.В. Селькин // ФТП. - 2005. - b Т./b : 39, b №/b : 12. - С.1423-1429. - Библиогр.: 22 назв.

Доп.точки доступа: Гаджиев, Г.М.; Голубев, В.Г.; Курдюков, Д.А.; Певцов, А.Б.; Селькин, А.В.; Травников, В.В.
Найти похожие


10.
Векслер , М. И.
Оптимизация одноуровневой квантовой модели приповерхностных индуцированных слоев в СВЧ-приборах на основе системы металл-диэлектрик-полупроводник [Текст] / М.И. Векслер , С.Э. Тягинов // Электрон. и микроэлектрон. СВЧ / Всероссийская научно-техническая конференция, 6-я, “Электроника и микроэлектроника СВЧ”, 29 мая - 1 июня 2017, Санкт-Петербург, Россия. - b Т./b : 1, b Ч./b : 1 (1). - С.404-408

Доп.точки доступа: Тягинов, С.Э.; Всероссийская научно-техническая конференция, 6-я, “Электроника и микроэлектроника СВЧ”, 29 мая - 1 июня 2017, Санкт-Петербург, Россия
Найти похожие


 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60