Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (62)ЭК отдела БАН при Институте высокомолекулярных соединений РАН (ИВС) (1)ЭК отдела БАН при Институте химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (ИХС) (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 103
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Ohmic contacts to semiconductors/ed. by B. Schwartz. - 1969
2.

Боборыкина Е.Н. Акустоэлектронные явления в пленках двуокиси ванадия,обладающих фазовым переходом металл-полупроводник/Е.Н. Боборыкина. - 1987
3.

Векслер М.И. Анализ электрофизических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник/М.И. Векслер, Г.Г. Карева // Электрон. микроэлектрон. СВЧ, 2016. т.Т.:1,N ч.:1.-С.37-41
4.

Денисенко А.И. Анализ элементарных процессов, протекающих при формировании структуры диэлектрик-полупроводник/А.И. Денисенко, С.А. Литвиненко, В.И. Соколов. - 1990
5.

Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия /А.М. Иванов, И.М. Котина, М.С. Ласаков, Н.Б. Строкан, Л.М. Тухконен // ФТП, 2010. т.Т.:44,N №:8.-С.1064-1067
6.

Гаджиев Г.М. Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)/Г.М. Гаджиев. - 2007
7.

Влияние вакуумной термообработки тонких пленок диоксида ванадия на фазовый переход металл-полупроводник/Р.А. Алиев, В.Н. Андреев, В.А. Климов, В.М. Лебедев. С.Е. Никитин. Е.И. Теруков, Е.Б. Шадрин // ЖТФ, 2005. т.Т.:75,N №:6.-С.81-84
8.

Андреев В.Н. Влияние гидрирования на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия/В.Н. Андреев, В.М. Капралова, В.А. Климов // ФТТ, 2007. т.Т.:49,N №:12.-С.2209-2213
9.

Кузьмин М.В. Влияние границы раздела металлическая нанопленка-полупроводник на поверхностные свойства нанопленки: система CO-Yb-Si(111)/М.В. Кузьмин, М.А. Митцев // ФТТ, 2014. т.Т.:56,N №:7.-С.1397-1402
10.

Андреев В.Н. Влияние деформации на фазовый переход металл--полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия /В.Н. Андреев, В.А. Климов // ФТТ, 2011. т.Т.:53,N №:3.-С.538-543
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60