Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (62)ЭК отдела БАН при Институте высокомолекулярных соединений РАН (ИВС) (1)ЭК отдела БАН при Институте химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (ИХС) (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 103
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Ohmic contacts to semiconductors/ed. by B. Schwartz. - 1969
2.

Андреев В.Н. Влияние гидрирования на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия/В.Н. Андреев, В.М. Капралова, В.А. Климов // ФТТ, 2007. т.Т.:49,N №:12.-С.2209-2213
3.

Андреев В.Н. Влияние деформации на фазовый переход металл--полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия /В.Н. Андреев, В.А. Климов // ФТТ, 2011. т.Т.:53,N №:3.-С.538-543
4.

Андреев В.Н. Влияние фазового перехода металл--полупроводник на скорость внедрения водорода в тонкие пленки диоксида ванадия /В.Н. Андреев, В.А. Климов // ФТТ, 2010. т.Т.:52,N №:3.-С.557-563
5.

Андреев В.Н. Роль адгезии при фазовом переходе металл-полупроводник в поликристаллических пленках диоксида ванадия/В.Н. Андреев, В.А. Климов, М.Е. Компан // ФТТ, 2013. т.Т.:55,N №:10.-С.1982-1986
6.

Андреев В.Н. Фазовый переход металл - полупроводник в V2O3/В.Н. Андреев. - 1975
7.

Астров Ю.А. Гексагональные структуры тока в системе " полупроводник-газоразрядный промежуток" /Ю.А. Астров, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель // ЖТФ, 2011. т.Т.:81,N №:2.-С.42-47
8.

Астров Ю.А. Генерация автосолитонов при двойной инжекции в высокоомный полупроводник/Ю.А. Астров. - 1990
9.

Астров Ю.А. Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник-газоразрядный промежуток/Ю.А. Астров. - 2005
10.

Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия /А.М. Иванов, И.М. Котина, М.С. Ласаков, Н.Б. Строкан, Л.М. Тухконен // ФТП, 2010. т.Т.:44,N №:8.-С.1064-1067
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60