Поисковый запрос: (<.>K=НЕСОВЕРШЕНСТВА КРИСТАЛЛОВ<.>) |
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|5429/T80
Автор(ы) : Townsend P.D., Kelly S.C.
Заглавие : Colour centres and imperfection in insulators and semiconductors
Выходные данные : London: Chatto & Windus for Sussex univ. press, 1973
Колич.характеристики :VII, 229 с.:
ил.
Серия: Graduate student ser. in physics
Цена : 3.00, р.
ББК : Ф V-2.2 + Ф VII-1
Предметные рубрики: Физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): несовершенства кристаллов--несовершенства в полупроводниках конференции
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|13/R30
Автор(ы) : Read W.T.
Заглавие : Dislocations in crystals
Выходные данные : New York: McGraw-Hill Book Company, 1953
Колич.характеристики :228 p
Цена : 17.00, р.
ББК : Ф V-2.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--несовершенства кристаллов
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|707/H99
Заглавие : Imperfections in nearly perfect crystals
: Symposium held at Pocono Manor October 12-14, 1950
Выходные данные : New York: John Wiley & sons, INC; London: Chapman & Hall, 1952
Колич.характеристики :490 с.:
ил.
Цена : 30.00, р.
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): несовершенства кристаллов--кристаллы
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|8294/L35
Заглавие : Laser and electron beam processing of materials
: Proceedings of a symposium on Laser and electron beam processing of materials, Cambridge (Massachusetts), November 27-30, 1979
Выходные данные : New York: Academic Press, 1980
Колич.характеристики :xviii, 769 p.:
il
Примечания : Библиогр. в конце ст
Цена : 35.00, р.
ББК : Ф V-8 + Ф V-2.2 + Ф XIII-1.839
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические свойства твердых тел--оптические свойства полупроводников--несовершенства кристаллов--применение лазеров
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|12190 Vol.37/K80
Автор(ы) : Kozlovski V., Abrosimova V.
Заглавие : Radiation defect engineering
Выходные данные : Singapore: World Scientific Publ., 2005
Колич.характеристики :253 p.:
ill
Серия: Selected Topics in Electronics and Systems; Vol. 37
Примечания : Библиогр.: с. 230-251
ISBN, Цена 981-256-521-3: 200.00, р.
ББК : Ф VII-1.11 + Ф V-2.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках--дефекты в кристаллах--несовершенства кристаллов
Аннотация: The continuous increase in the complexity of problems of semiconductor electronics, as well as the development of new directions such as microwave electronics and optoelectronics have shown insufficient potential of the currently used technjljgical processes of doping and have predetermined the inevitable search and development of new methods. One of the most promising techniques is radiation doping, i.e. the international, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation.In this paper the basic principles of the interaction of the protons with single crystal semiconductors are considered and all the types of the proton modification of the materials known presently are analyzed in detail. Radiation Defect Engineering will be useful to all scientists, technicians, and students interested in semiconductor electronics and radiation physics of the solid state. More than 400 references are cited in the paper.
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|12658/E27
Автор(ы) : Efetov K.
Заглавие : Supersymmetry in disorder and chaos
: монография
Выходные данные : Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1997
Колич.характеристики :441 p.
ISBN, Цена 0-521-47097-8: 1770.72 р.
ББК : Ф V-2.1 + Ф V-2.4 + Ф V-2.2 + Ф V-5.2.1 + Ф VII-7.3
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллическая решетка; динамика--несовершенства кристаллов--диффузия
Аннотация: The development of the supersymmetry technique has led to significant advances in the study of disordered metals and semiconductors. Proven of great use in the analysis of modern mesoscopic quantum devices, the technique has also found applications in other areas, such as localization and quantum chaos. This volume provides comprehensive treatment of the ideas and uses of supersymmetry. The first four chapters set out the basic results and some straightforward applications of the technique. Thereafter, Professor Efetov covers a range of topics in detail, including random matrix theory, persistent currents in mesoscopic rings, transport in mesoscopic devices, localization in quantum wires and films, and the quantum Hall effect. Special features include problems and solutions drawn from mesoscopics, localization, and quantum chaos, and extended introductions that make each chapter self-contained. The text will be of great interest to graduate students and researchers in condensed matter, statistical, and mathematical physics and in quantum chaos.
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|3651/N11
Автор(ы) : Nabarro F.R.N.
Заглавие : Theory of crystal dislocations
Выходные данные : Oxford: Clarendon Press, 1967
Колич.характеристики :XII, 821 с.:
il.
Серия: The International ser. of monographs on physics
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 3.00, р.
ББК : Ф V-2.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): несовершенства кристаллов
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|3500/Х 17
Автор(ы) : Халл, Дерек
Заглавие : Введение в дислокации. (Структура и свойства дислокаций)
Выходные данные : М.: Атомиздат, 1968
Колич.характеристики :280 с.:
ил.
Примечания : Пер. с англ. - Библиогр.: с. 271-277
Цена : 1.09, р.
ББК : Ф V-2.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): несовершенства кристаллов
Экземпляры : всего : ФТИ(2)
Свободны : ФТИ(2)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|8629/О-66
Автор(ы) : Орлов А.Н.
Заглавие : Введение в теорию дефектов в кристаллах
: учеб. пособие
Выходные данные : М.: Высш. шк., 1983
Колич.характеристики :144 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 144
Цена : 0.25, б/ц, р.
ББК : Ф V-2.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): несовершенства кристаллов--дефекты в кристаллах--учеб. пособия
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по курсу "Теория дефектов в кристаллах", читаемого студентам, специализирующимся по различным разделам физики твердого тела и физического материаловедения. В книге изложены основы теории точечных дефектов и дислокаций, приведены сведения об атомной структуре ядра дислокации в различных простых кристаллах, о взаимодействии дислокаций между собой и с точечными дефектами, об атомных механизмах движения отдельной дислокации и об эволюции дислокационной структуры кристалла при пластической деформации, о механизмах управления. Рассмотрены механизмы зарождения и роста трещин. Показано, что пластическая деформация кристалла есть движение дислокаций и точечных дефектов.
Экземпляры : всего : ФТИ(2)
Свободны : ФТИ(2)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|12594/К 71
Автор(ы) : Кособукин В.А.
Заглавие : Введение в теорию неупорядоченных систем
: локализованные состояния: учеб. пособие
Выходные данные : СПб.: Изд-во СПбГТУ, 2000
Колич.характеристики :63 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: 18 назв.
Цена : 10-00 р.
УДК : Ф VII-7.3/4 + Ф V-2.2
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): низкоразмерные структуры--несовершенства кристаллов
Экземпляры : всего : ФТИ(3)
Свободны : ФТИ(3)
Найти похожие
|
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК