Поисковый запрос: (<.>K=НАНОТЕХНОЛОГИИ<.>) |
Общее количество найденных документов : 186
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Тх|8184/H57
Автор(ы) : Herman M.A.
Заглавие : Semiconductor Superlattices
Выходные данные : Berlin: Akademie Verlag, 1986
Колич.характеристики :279 p
Цена : 200.00, р.
ББК : Тх XII-2.1.2.6
Предметные рубрики: ТЕХНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотехнологии
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|12162/P59
Заглавие : Physics, fabrication, and applications of multilayered structures
: сборник научных трудов
Выходные данные : New York; London: Plenum Press, 1988
Колич.характеристики :416 с
Серия: NATO Advanced study institutes series. Ser. B; Vol. 182
Примечания : Библиогр.:. - В надзаг.:
ISBN, Цена 0-306-42995-0: 100000-00 р.
УДК : Ф VII-7.3 + Ф V-9.3
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сверхрешетки--нанотехнологии--слоистые системы
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Тх|6813/С 24
Заглавие : Сверхпроводниковые электротехнические устройства
: сб. науч. трудов
Выходные данные : Л., 1989
Колич.характеристики :167 с.:
ил.
Цена : 1.00, р.
ББК : Тх XII-2.1.2.6
Предметные рубрики: Техника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сверхпроводники--электротехнические устройства--нанотехнологии
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Тх|6838/И 28
Автор(ы) : Игумнов Д.В., Костюнина Г.П.
Заглавие : Полупроводниковые устройства непрерывного действия
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1990
Колич.характеристики :256 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 253
ISBN, Цена 5-256-00725-4: 1.30, р.
ББК : Тх XII-2.1.2.6
Предметные рубрики: Техника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые устройства--нанотехнологии
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Тх|6821/Е 72
Автор(ы) : Ермаков О.Н., Сушков В.П.
Заглавие : Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1990
Колич.характеристики :239 с.:
ил., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 224-233. - Экз. с инв. номером б/N содержит автограф.
ISBN, Цена 5-256-00736-Х: 1.30, р.
ББК : Тх XII-2.1.2.6
Предметные рубрики: Техника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые индикаторы--нанотехнологии
Экземпляры : всего : ФТИ(2)
Свободны : ФТИ(2)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|12417/D80
Автор(ы) : Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Eklund P.C.
Заглавие : Science of fullerenes and carbon nanotubes
: монография
Выходные данные : San Diego etc.; Boston; New York: Acad. Press, 1996
Колич.характеристики :xviii, 965 с.
+ index
Примечания : Библиогр. в конце гл.
ISBN, Цена 0-12-221820-5: 1500-00 р.
УДК : Ф V-1.7 + Ф IV-2 + Ф VII-7.4
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фуллерены--строение и свойства молекул--наноструктуры--нанотехнологии
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|12496/С 87
Заглавие : Структура, фазовые превращения и свойства нанокристаллических сплавов
: [сб. докл. семинара, 25-29 марта 1996 г.
Выходные данные : Екатеринбург: УрО РАН, 1997
Колич.характеристики :156,[2] с.:
ил.
Коллективы :
Ин-т физики металлов УрО РАН, Структура, дефекты и свойства нанокристаллических, ультрадисперсных и мультислойных материалов: международный семинар (7; 1996; Екатеринбург)
Примечания : Библиогр. в конце докл. - В надзаг.: Рос. акад. наук, Урал. отд-ние, Ин-т физики металлов
ISBN, Цена 5-7691-0693-Х: 16-00 р.
УДК : Ф VII-7.3/4 + Ф V-2.2 + Ф V-5.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые наноструктуры--нанотехнологии--несовершенства кристаллов
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|14102/M60
Заглавие : Mesoscopic Physics and Electronics
Выходные данные : Berlin; Heidelberg; New York: Springer , 1998
Колич.характеристики :XIV, 282 с
Серия: NanoScience and Technology
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 3-540-63587-4: 4000.00, р.
ББК : Ф VII-7.4 + Ф XIII-1.8 + Ф II-7.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры; нанотехнологии--квантовая оптика--квантовая механика
Аннотация: Semiconductor technology has developed considerably during the past several decades. The exponential growth in microelectronic processing power has been achieved by a constant scaling down of integrated cir,cuits. Smaller fea ture sizes result in increased functional density, faster speed, and lower costs. One key ingredient of the LSI technology is the development of the lithog raphy and microfabrication. The current minimum feature size is already as small as 0.2 /tm, beyond the limit imposed by the wavelength of visible light and rapidly approaching fundamental limits. The next generation of devices is highly likely to show unexpected properties due to quantum effects and fluctuations. The device which plays an important role in LSIs is MOSFETs (metal oxide-semiconductor field-effect transistors). In MOSFETs an inversion layer is formed at the interface of silicon and its insulating oxide. The inversion layer provides a unique two-dimensional (2D) system in which the electron concentration is controlled almost freely over a very wide range. Physics of such 2D systems was born in the mid-1960s together with the development of MOSFETs. The integer quantum Hall effect was first discovered in this system.
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|11510/M79
Заглавие : Molecular electronics: science and technology
: монография
Выходные данные : New York: New York Acad. of Sciences, 1998
Колич.характеристики :372 p.:
il.
Серия: Annals of the New York Academy of Sciences; Vol. 852
Примечания : Библиогр. в конце статей .- Auth. Index: p. 371-372
ISBN, Цена 0-8018-6302-3: Б.ц.
УДК : Ф IV-2.2 + Тх XII-2.1.2.6
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атомные и молекулярные кластеры--нанотехнологии
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Тх|8182/Г 96
Автор(ы) : Гусев А.И.
Заглавие : Нанокристаллические материалы
: методы получения и свойства
Выходные данные : Екатеринбург: Изд-во УрО РАН, 1998
Колич.характеристики :180 с.:
ил
Коллективы :
Ин-т химии твердого тела УрО РАН
Примечания : Библиогр.: с. 178
ISBN, Цена 5-7691-0770-7: 150.00, р.
ББК : Тх IV-3 + Тх XII- 2.1.2.6
Предметные рубрики: ТЕХНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): материалы--нанотехнологии
Аннотация: В книге дано систематическое изложение современного состояния исследований нанокристаллических материалов. Обобщены экспериментальные результаты по влиянию нанокристаллического состояния на микроструктуру и механические, теплофизические, оптические, магнитные свойства металлов, сплавов и твердофазных соединений. Рассмотрены основные методы получения изолированных наночастиц, ультрадисперсных порошков и компактных нанокристаллических материалов. Для специалистов в области физики твердого тела, физической химии и химии твердого тела, материаловедения, студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК