Поисковый запрос: (<.>K=НАНОТЕХНОЛОГИИ<.>) |
Общее количество найденных документов : 186
Показаны документы с 1 по 10 |
|
| 1. | Тх|8184
H57
Herman, M. A.
Semiconductor Superlattices [Текст] / M.A. Herman. - Berlin : Akademie Verlag, 1986. - 279 p. - 200.00 р.ББК Тх XII-2.1.2.6
Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТЕХНОЛОГИИ
Найти похожие
|
| 2. | Ф|12162
P59
Physics, fabrication, and applications of multilayered structures [Text] : сборник научных трудов / Eds: P.Dhez, C.Weisbuch. - New York ; London : Plenum Press, 1988. - 416 p. - (NATO Advanced study institutes series. Ser. B ; vol. 182). - Библиогр.:. - ISBN 0-306-42995-0 : 100000-00 р.
В надзаг.:
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Сверхрешетки -- Нанотехнологии -- Слоистые системы
Доп.точки доступа: Dhez, P. \ed.\; Weisbuch, C. \ed.\
Найти похожие
|
| 3. | Тх|6813
С 24
Сверхпроводниковые электротехнические устройства [Текст] : сб. науч. трудов / ред. В. Г. Новицкий. - Л. : [б. и.], 1989. - 167 с. : ил. - 1.00 р.ББК Тх XII-2.1.2.6
Рубрики: Техника
Кл.слова (ненормированные):
СВЕРХПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА -- НАНОТЕХНОЛОГИИ
Доп.точки доступа: Новицкий, В.Г. \ред.\
Найти похожие
|
| 4. | Тх|6838
И 28
Игумнов, Д. В.
Полупроводниковые устройства непрерывного действия [Текст] / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. - М. : Радио и связь, 1990. - 256 с. : ил. - Библиогр.: с. 253. - ISBN 5-256-00725-4 : 1.30 р.ББК Тх XII-2.1.2.6
Рубрики: Техника
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА -- НАНОТЕХНОЛОГИИ
Доп.точки доступа: Костюнина, Г.П.
Найти похожие
|
| 5. | Тх|6821
Е 72
Ермаков, О. Н.
Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы [Текст] / О. Н. Ермаков, В. П. Сушков. - М. : Радио и связь, 1990. - 239 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 224-233. - ISBN 5-256-00736-Х : 1.30 р.
Экз. с инв. номером б/N содержит автограф.ББК Тх XII-2.1.2.6
Рубрики: Техника
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНДИКАТОРЫ -- НАНОТЕХНОЛОГИИ
Доп.точки доступа: Сушков, В.П.
Найти похожие
|
| 6. | Ф|12417
D80
Dresselhaus, M. S.
Science of fullerenes and carbon nanotubes [Text] : монография / M.S.D resselhaus, G. Dresselhaus, P.C. Eklund. - San Diego etc. ; Boston ; New York : Acad. Press, 1996. - xviii, 965 p. + index. - Библиогр. в конце гл. - ISBN 0-12-221820-5 : 1500-00 р.
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Фуллерены -- Строение и свойства молекул -- наноструктуры -- нанотехнологии
Доп.точки доступа: Dresselhaus, G.; Eklund, P.C.
Найти похожие
|
| 7. | Ф|12496
С 87
Структура, фазовые превращения и свойства нанокристаллических сплавов [Текст] : [сб. докл. семинара, 25-29 марта 1996 г. / Ин-т физики металлов УрО РАН ; отв. ред. Г.Г. Талуц, Н.И. Носкова]. - Екатеринбург : УрО РАН, 1997. - 156,[2] с. : ил. - Библиогр. в конце докл. - ISBN 5-7691-0693-Х : 16-00 р.
В надзаг.: Рос. акад. наук, Урал. отд-ние, Ин-т физики металлов
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые наноструктуры -- нанотехнологии -- несовершенства кристаллов
Доп.точки доступа: Талуц, Г.Г. \ред.\; Носкова, Н.И. \ред.\; Ин-т физики металлов УрО РАН; Структура, дефекты и свойства нанокристаллических, ультрадисперсных и мультислойных материалов: международный семинар (7 ; 1996 ; Екатеринбург)
Найти похожие
|
| 8. | Ф|14102
M60
Mesoscopic Physics and Electronics [Text] / ed.: T. Ando, Y. Arakawa, K. Furuya. - Berlin ; Heidelberg ; New York : Springer , 1998. - XIV, 282 p. - (NanoScience and Technology). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 3-540-63587-4 : 4000.00 р.ББК Ф VII-7.4 + Ф XIII-1.8 + Ф II-7.1
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры; нанотехнологии -- квантовая оптика -- квантовая механика
Аннотация: Semiconductor technology has developed considerably during the past several decades. The exponential growth in microelectronic processing power has been achieved by a constant scaling down of integrated cir,cuits. Smaller fea ture sizes result in increased functional density, faster speed, and lower costs. One key ingredient of the LSI technology is the development of the lithog raphy and microfabrication. The current minimum feature size is already as small as 0.2 /tm, beyond the limit imposed by the wavelength of visible light and rapidly approaching fundamental limits. The next generation of devices is highly likely to show unexpected properties due to quantum effects and fluctuations. The device which plays an important role in LSIs is MOSFETs (metal oxide-semiconductor field-effect transistors). In MOSFETs an inversion layer is formed at the interface of silicon and its insulating oxide. The inversion layer provides a unique two-dimensional (2D) system in which the electron concentration is controlled almost freely over a very wide range. Physics of such 2D systems was born in the mid-1960s together with the development of MOSFETs. The integer quantum Hall effect was first discovered in this system.
Доп.точки доступа: Ando, T. \ed.\; Arakawa, Y. \ed.\; Furuya, K. \ed.\
Найти похожие
|
| 9. | Ф|11510
M79
Molecular electronics: science and technology [Text] : монография / ed. by A. Aviran, M. Ratner. - New York : New York Acad. of Sciences, 1998. - 372 p. : il. - (Annals of the New York Academy of Sciences ; vol. 852). - Библиогр. в конце статей .- Auth. Index: p. 371-372. - ISBN 0-8018-6302-3 : Б. ц.
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Атомные и молекулярные кластеры -- Нанотехнологии
Доп.точки доступа: Aviran, A. \ed.\; Ratner, M. \ed.\
Найти похожие
|
| 10. | Тх|8182
Г 96
Гусев, А. И.
Нанокристаллические материалы [Текст] : методы получения и свойства / А.И. Гусев ; Институт химии твердого тела УрО РАН. - Екатеринбург : Изд-во УрО РАН, 1998. - 180 с. : ил. - Библиогр.: с. 178. - ISBN 5-7691-0770-7 : 150.00 р.ББК Тх IV-3 + Тх XII- 2.1.2.6
Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
МАТЕРИАЛЫ -- НАНОТЕХНОЛОГИИ
Аннотация: В книге дано систематическое изложение современного состояния исследований нанокристаллических материалов. Обобщены экспериментальные результаты по влиянию нанокристаллического состояния на микроструктуру и механические, теплофизические, оптические, магнитные свойства металлов, сплавов и твердофазных соединений. Рассмотрены основные методы получения изолированных наночастиц, ультрадисперсных порошков и компактных нанокристаллических материалов. Для специалистов в области физики твердого тела, физической химии и химии твердого тела, материаловедения, студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Доп.точки доступа: Ин-т химии твердого тела УрО РАН
Найти похожие
|
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК