Поисковый запрос: (<.>K=МЕТАЛЛ<.>) |
Общее количество найденных документов : 170
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Ohmic contacts to semiconductors/ed. by B. Schwartz. - 1969
|
2.
| Phase transitions and self-organization in electronic and molecular networks/eds: J.C. Phillips, M.F. Thorpe. - 20022001
|
3.
| Roberts M.W. Chemistry of the Metal-Gas Interface/M. W. Roberts, C. S. McKee. - 1978
|
4.
| Solutions Metal-Ammoniac. Proprietes Physicochimiques. Colloque Weyl, Lille, juin 1963/ed.: G. Lepoutre, M. J. Sienko. - 1964
|
5.
| «Сенсорный» эффект в структурах металл-полиамид-металл /А.М. Эльяшевич, А.Н. Ионов, В.В. Кудрявцев, М.М. Ривкин, В.М. Светличный, И.Е. Скляр, В.М. Тучкевич // Высокомол. соед., 1993. т.Т.:35,N №:1.-С.Б50-Б50
|
6.
| Агринская Н.В. Аномальный эффект Холла в квантовых ямах GaAs-AlGaAs, легированных немагнитными примесями, вблизи перехода металл-изолятор/Н. В. Агринская, Н. Ю. Михайлин, Д. В. Шамшур // ЖЭТФ, 2022. т.Т.:162,N №:1.-С.127 - 132
|
7.
| Агринская Н.В. Модель спинового стекла для квантовых ям GaAs/AlGaAs, легированных немагнитными примесями, вблизи перехода металл-изолятор/Н. В. Агринская, В. И. Козуб // ЖЭТФ, 2023. т.Т.:164,N №:5.-С.797 - 804
|
8.
| Агринская Н.В. Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных двумерных структур вблизи перехода металл-диэлектрик/Н.В. Агринская, В.И. Козуб // Письма ЖЭТФ, 2013. т.Т.:98,N №:5.-С.342-350
|
9.
| Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF2/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов/М.И. Векслер, Ю.Ю. Илларионов, С.Э. Тягинов, T. Grasser // ФТП, 2015. т.Т.:49,N №:2.-С.266-270
|
10.
| Алешин А.Н. Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах на металлической стороне перехода металл--диэлектрик/А.Н. Алешин // ФТТ, 2010. т.Т.:52,N №:11.-С.2162-2184
|
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК