Поисковый запрос: (<.>K=ЛЕГИРОВАНИЕ<.>) |
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10 |
|
| 1. |
Глубокое диффузионное легирование макропористого кремния [Текст] / Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, И.В. Греков, А.В. Нащекин, А.Г. Ткаченко // Письма ЖТФ. - 1999. - Т.: 25, № : 23. - С. 72-79
Доп.точки доступа: Астрова, Е.В.; Воронков, В.Б.; Греков, И.В.; Нащекин, А.В.; Ткаченко, А.Г.
Найти похожие
|
| 2. |
Жиляев, Ю. В.
Двухкомпонентное акцепторное легирование эпитаксиального фосфида галлия и его использование в приборах высокотемпературной электроники [Текст] / Ю.В. Жиляев, Е.А. Панютин, Л.М. Федоров // Письма ЖТФ. - 2008. - Т.: 34, № : 20. - С. 80-87
Доп.точки доступа: Панютин, Е.А.; Федоров, Л.М.
Найти похожие
|
| 3. |
Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs [Текст] / К.Д. Моисеев, В.Н. Неведомский, Yu. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, M. Lopez-Lopez // ФТП. - 2017. - Т.: 51, № : 9. - С. 1189-1195. - Библиогр.: 19 назв.
Доп.точки доступа: Моисеев, К.Д.; Неведомский, В.Н.; Kudriavtsev, Yu.; Escobosa-Echavarria, A.; Lopez-Lopez, M.
Найти похожие
|
| 4. | Ф|10965
К63
Комаров, Ф. Ф.
Дефекты структуры в ионноимплантированном кремнии [Текст] / Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. - Минск : [б. и.], 1990. - 305 с. : ил. - Библиогр.: с. 293-319 . - 03.00 р.ББК Ф VII-1.1 + Ф XI-3 + Ф V-2.2 + Ф V-3
Рубрики: Ф
Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ -- РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ -- ДЕФЕКТЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
Доп.точки доступа: Новиков, А.П.; Соловьев, В.С.; Ширяев, С.Ю.
Найти похожие
|
| 5. |
Куликов, Г. С.
Диффузионное легирование серебром аморфного гидрированного кремния с примесью бора [Текст] / Г.С. Куликов, М.М. Мездрогина, С.К. Першеев // ФТП. - 1993. - Т.: 7, № : 8. - С. 1392-1394
Доп.точки доступа: Мездрогина, М.М.; Першеев, С.К.
Найти похожие
|
| 6. | М 94|1991
Мынбаев, К. Д.
Диффузное и ионно-лучевое легирование CdxHg1-xTe [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / К.Д. Мынбаев ; ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - СПб. : ФТИ, 1992. - 15 с.
Специальность: 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков
Доп.точки доступа: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Найти похожие
|
| 7. | Л 33|1993
Ле Туан
Изовалентное легирование и получение квантовых гетероструктур на основе соединений А3 B5 в методе жидкофазной эпитаксии [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Ле Туан ; ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - СПб. : ФТИ, 1993. - 15 с. - Библиогр.: c.13-15
Специальность: 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриковББК 538.975
Доп.точки доступа: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Найти похожие
|
| 8. |
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии [Текст] / Н.Б. Пышная, С.И. Радауцан, В.В. Чалдышев, В.А. Чумак, Ю.В. Шмарцев // ФТП. - 1992. - Т.: 26, № : 0. - С. 1737-1741
Доп.точки доступа: Пышная, Н.Б.; Радауцан, С.И.; Чалдышев, В.В.; Чумак, В.А.; Шмарцев, Ю.В.
Найти похожие
|
| 9. | Ч 16|1999
Чалдышев, В. В.
Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей точечных дефектов и наноразмерных кластеров [Текст] : дис. ... д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. / В.В. Чалдышев ; ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - СПб. : ФТИ, 1999. - 51 с. : ил. - Библиогр.: 44 назв.
Специальность: 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков
Доп.точки доступа: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Найти похожие
|
| 10. | Тх|2904
З-86
Зорин, Е. И.
Ионное легирование полупроводников [Текст] / Е. И. Зорин, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум. - М. : Энергия , 19975. - (Библиотека радиотехнолога ; вып. 6). - 0.39 р.
Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Доп.точки доступа: Павлов, П.В.; Тетельбаум, Д.И.
Найти похожие
|
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК