Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (99)ЭК отдела БАН при Институте высокомолекулярных соединений РАН (ИВС) (1)ЭК отдела БАН при Институте химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (ИХС) (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИОДЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 108
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

   
    1.8 мкм лазерные
диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур [Текст] / А.В. Лютецкий, К.С. Борщев, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов // ФТП. - 2007. - Т.: 41, : 7. - С. 883-887. - Библиогр.: 18 назв.


Доп.точки доступа: Лютецкий, А.В.; Борщев, К.С.; Бондарев, А.Д.; Налет, Т.А.; Пихтин, Н.А.; Слипченко, С.О.; Фетисова, Н.В.; Хомылев, М.А.; Мармалюк, А.А.; Рябоштан, Ю.Л.; Симаков, В.А.; Тарасов, И.С.
Найти похожие

2.    Ф|2057
   G36


    Gentile, Sylvester P. .
    Basic theory and application of tunnel diodes [Текст] / S. P. Gentile. - Princeton, N.J. : Van Nostrand, 1962. - XII, 295 с. : il. - Библиогр.: с. 263-264. - 2.00 р.
ББК Ф VII-7 + Тх XII-1.21

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ДИОДЫ

Найти похожие

3.    Ф|436
   B77


    Boon, S. D.
    Germanium diodes [Text] / S. D. Boon. - Amsterdam : Philips Technical Library, 1956. - 87 p. : ил. - (Philips Technical Library). - 5.00 р.

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
Германиевые диоды

Найти похожие

4.    Ф|7018
   L58


    Les Semiconducteurs [Text] / R. Legros.
   Т.1 : Physique des semiconducteurs Technologie-Diodes. - Paris : [s. n.], 1974. - 402 p. : il. - Библиогр. в конце глав. - 3.00 р.
ББК Ф VII-1 + Ф VII-7 + Тх XII-1.29 + Тх XII-1.21

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ДИОДЫ

Доп.точки доступа: Legros R.
Найти похожие

5.    Тх\1464
   Д 43


    Дзехцер, Г. Б.
    p-i-n диоды в широкополосных устройствах СВЧ [Текст] / Г. Б. Дзехцер, О. С. Орлов. - М. : Советское радио, 1970. - 200 с. : ил. - Библиогр.: с. 196-198. - 0.47 р.

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
СВЧ -- РАДИОАППАРАТУРА

Доп.точки доступа: Орлов, О.С.
Найти похожие

6.

    Дьяков, Б. Б.
    p-n-структуры в германии и кремнии - первые отечественные диоды и транзисторы [Текст] / Б.Б. Дьяков // Петерб.-Ленингр. шк. электроники. - СПб. : Изд-во СПб.ГЭТУ “ЛЭТИ", 2013. - С. 132-138


Найти похожие

7.    Тх|7608
   О-60


    Опадчий, Ю. Ф.
    Аналоговая и цифровая электроника [Текст] : полный курс: учеб. для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; под ред. О. П. Глудкина. - М. : Горячая линия-Телеком, 2005. - 768 с. : ил. - ISBN 5-93517-002-7 : 251.22 р., 251.21 р.
ББК Тх ХII-2;07 + Тх ХII-2.1.1 + Тх ХII-2.1.2 + Тх ХII-2.1.3 + Тх ХII-2.1.4

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНИКА -- ДИОДЫ -- ТРИОДЫ -- ТИРИСТОРЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ
Аннотация: Рассматривается элементная база устройств полупроводниковой электроники, диоды, транзисторы, тиристоры, приборы с зарядовой связью: приведена классификация, вольт-амперные и частотные характеристики, основные схемы включения и особенности применения конкретных приборов в различных режимах работы. Излагаются принципы построения типовых аналоговых, импульсных и цифровых устройств. Приведены способы математического описания их работы, а также основы анализа и направленного синтеза устройств с заданными техническими характеристиками. Для студентов, обучающихся по специальности "Проектирование и технология радиоэлектронных средств".

Доп.точки доступа: Глудкин, О. П.; Гуров, А. И.; Глудкин, О. П. \ред.\
Найти похожие

8.

    Данильченко, В. Г.
    Арсенидгаллиевые быстродействующие импульсные диоды на основе гетероструктур [Текст] / В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков // ФТП. - 2009. - Т.: 43, : 8. - С. 1093-1095


Доп.точки доступа: Корольков, В.И.; Солдатенков, Ф.Ю.
Найти похожие

9.

   
    Высоковольтные (3.3 кВ)
JBS-диоды на основе 4H-SiC [Текст] / П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, О.Ю. Серебренникова // ФТП. - 2011. - Т.: 45, : 5. - С. 677-681


Доп.точки доступа: Иванов, П.А.; Грехов, И.В.; Ильинская, Н.Д.; Коньков, О.И.; Потапов, А.С.; Самсонова, Т.П.; Серебренникова, О.Ю.
Найти похожие

10.

   
    Высоковольтные (900 В)
4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [Текст] / И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова // ФТП. - 2008. - Т.: 42, : 2. - С. 211-214


Доп.точки доступа: Грехов, И.В.; Иванов, П.А.; Ильинская, Н.Д.; Коньков, О.И.; Потапов, А.С.; Самсонова, Т.П.
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60