Поисковый запрос: (<.>K=ДИОДЫ<.>) |
Общее количество найденных документов : 108
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур/А.В. Лютецкий, К.С. Борщев, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов // ФТП, 2007. т.Т.:41,N №:7.-С.883-887
|
2.
| Gentile S.P. Basic theory and application of tunnel diodes/S. P. Gentile. - 1962
|
3.
| Boon S.D. Germanium diodes/S. D. Boon. - 1956
|
4.
| Les Semiconducteurs. Т.1:Physique des semiconducteurs Technologie-Diodes. - 1974
|
5.
| Дзехцер Г.Б. p-i-n диоды в широкополосных устройствах СВЧ/Г. Б. Дзехцер, О. С. Орлов. - 1970
|
6.
| Дьяков Б.Б. p-n-структуры в германии и кремнии - первые отечественные диоды и транзисторы/Б.Б. Дьяков // Петерб.-Ленингр. шк. электроники. -СПб.:Изд-во СПб.ГЭТУ “ЛЭТИ", 2013.-С.132-138
|
7.
| Опадчий Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника/Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; под ред. О. П. Глудкина. - 2005
|
8.
| Данильченко В.Г. Арсенидгаллиевые быстродействующие импульсные диоды на основе гетероструктур/В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков // ФТП, 2009. т.Т.:43,N №:8.-С.1093-1095
|
9.
| Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC /П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, О.Ю. Серебренникова // ФТП, 2011. т.Т.:45,N №:5.-С.677-681
|
10.
| Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора/И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова // ФТП, 2008. т.Т.:42,N №:2.-С.211-214
|
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК