Поисковый запрос: (<.>K=ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ<.>) |
Общее количество найденных документов : 35
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|10965/К63
Автор(ы) : Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев В.С., Ширяев С.Ю.
Заглавие : Дефекты структуры в ионноимплантированном кремнии
Выходные данные : Минск, 1990
Колич.характеристики :305 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 293-319
Цена : 03.00, р.
ББК : Ф VII-1.1 + Ф XI-3 + Ф V-2.2 + Ф V-3
Предметные рубрики: Ф
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках--легирование--ионные источники--радиационные эффекты--дефекты в твердых телах
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|10957 Vol. 22/L25
Автор(ы) : Lannoo M., Bourgoin J.
Заглавие : Point Defects in Semiconductions. I. Theoretical aspects
Выходные данные : Berlin etc.: Springer, 1981
Колич.характеристики :XV, 265 p.:
ill
Примечания : Biblipgr.: 245-250
Цена : 03.00, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: Ф
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|10957 Vol.35/B81
Автор(ы) : Bourgoin J., Lannoo M.
Заглавие : Point Defects in Semiconductors II. Experimental Aspects
Выходные данные : Berlin et al.: Springer-Verlag, 1983
Колич.характеристики :XVI, 295 p.:
ill
Серия: Springer Series in Solid State Sciences ; Vol. 35
Примечания : Bibliogr.: p. 271-279
Цена : 30.00, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: Ф
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|8634/Р35
Автор(ы) : Рейви К.
Заглавие : Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии
: Пер. с англ.
Выходные данные : М.: Мир, 1984
Колич.характеристики :472 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 425 - 454
Цена : 3.30, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые соединения--дефекты в полупроводниках
Экземпляры : всего : ХР(3)
Свободны : ХР(3)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9028/М60
Автор(ы) : Мильвидский М.Г.
Заглавие : Полупроводниковые материалы в современной электронике
Выходные данные : М.: Наука, 1986
Колич.характеристики :144 с.:
ил
Серия: Проблемы науки и технического прогресса
Примечания : Библиогр.: с. 144
Цена : 0.50, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках--aiiibv
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9084/Б91
Автор(ы) : Бургуэн Ж., Ланно М.
Заглавие : Точечные дефекты в полупроводниках
: Экспериментальные аспекты: Пер. с англ.
Выходные данные : М.: Мир, 1985
Колич.характеристики :304 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 289 - 297
Цена : 2.70, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9092/С51
Автор(ы) : Смородина Т.А., Шефталь Н.Н., Цуранов А.П.
Заглавие : Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника
: (Процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники)
Выходные данные : Л.: Наука, 1986
Колич.характеристики :176 с.:
ил
Коллективы :
ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова
Примечания : Библиогр.: с. 161 - 171
Цена : 1.60, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках
Экземпляры : всего : ХР(2)
Свободны : ХР(2)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9140/Э45
Автор(ы) : Юнусов М.С., Махмудов А.Ш., Оксенгендлер Б.Л., Оскаров Б., Хасимов З.М., Пулатова Д.С., Пахаруков Ю.В.
Заглавие : Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках
Выходные данные : Ташкент: Фан, 1986
Колич.характеристики :176 с.:
ил
Коллективы :
Ин-т ядерной физики АН УзССР
Примечания : Библиогр.: с. 166 - 172
Цена : 1.60, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9298/П24
Автор(ы) : Пека Г.П., Коваленко В.Ф., Куценко В.Н.
Заглавие : Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов
Выходные данные : Киев: Техника, 1986
Колич.характеристики :152 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 145 - 150
Цена : 0.60, р.
ББК : Ф XIII-3.22 + Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): люминесценция--дефекты в полупроводниках
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9439/Б90
Автор(ы) : Булярский С.В.
Заглавие : Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах
Выходные данные : Кишинев: Штиинца, 1987
Колич.характеристики :103 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 90 - 100
Цена : 1.10, р.
ББК : Ф VII-1.1
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в полупроводниках--aiiibv
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
Описание ЭК