Поисковый запрос: (<.>K=ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ<.>) |
Общее количество найденных документов : 35
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Комаров Ф.Ф. Дефекты структуры в ионноимплантированном кремнии/Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. - 1990
|
2.
| Lannoo M. Point Defects in Semiconductions. I. Theoretical aspects/M. Lannoo, J. Bourgoin. - 1981
|
3.
| Bourgoin J. Point Defects in Semiconductors II. Experimental Aspects/J. Bourgoin, M. Lannoo. - 1983
|
4.
| Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии/К. Рейви; Ред. С.Н. Горин. - 1984
|
5.
| Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике/М.Г. Мильвидский. - 1986
|
6.
| Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках/Ж. Бургуэн, М. Ланно. - 1985
|
7.
| Смородина Т.А. Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника/Т.А. Смородина, Н.Н. Шефталь, А.П. Цуранов; Ред. И.А. Смирнов. - 1986
|
8.
| Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках/М.С. Юнусов, А.Ш. Махмудов, Б.Л. Оксенгендлер и др; Ред. П.К. Хабибуллаев. - 1986
|
9.
| Пека Г.П. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов/Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко; Ред. Г.П. Пека. - 1986
|
10.
| Булярский С.В. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах/С.В. Булярский; Ред. С.И. Радауцан. - 1987
|
|
|
|
Описание ЭК