Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Bergman, J. $<.>)
Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-33 
1.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : CAO S.M., WILLANDER M., TOROPOV A.A., SHUBINA T.V., MELTSER B.Y., SHAPOSHNIKOV S.V., KOPEV P.S., HOLTZ P.O., BERGMAN J.P., MONEMAR B.
Заглавие : RESONANT COUPLING OF ELECTRONS AND EXCITONS IN AN APERIODIC SUPERLATTICE UNDER ELECTRIC-FIELDS STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
Место публикации : Phys. Rev. B. - 1995. - Vol.: 51, N: 23. - С.17267-17270
Найти похожие

2.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Cao S.M., Willander M., Toropov A.A., Shubina T.V., Meltser B.Y., Shaposhnikov S.V., Kopev P.S., Bergman J.P., Holtz P.O., Monemar B.
Заглавие : Characterization of Al0.4Ga0.6As/GaAs a periodic superlattices by photoluminescence spectroscopy at 2 K
Место публикации : Superlat. Microstruct. - 1996. - Vol.: 20, N: 2. - С.229-235
Найти похожие

3.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Toropov A.A., Shubina T.V., Lebedev A.V., Meltser B.Y., Nekludov P.V., Ilinskaia N.D., Tkatchman M.G., Kopev P.S., Cao S.M., Willander M., Holtz P.O., Bergman J.P., Monemar B.
Заглавие : S-shaped current-voltage characteristics and bistability in the laser generation spectrum of multiple-barrier p-i-n resonant tunneling devices
Место публикации : Compound semiconductors 1996/ International symposium on compound semiconductors, 23rd, 23-27 Sept. 1996, St Petersburg. - 1997. - С.725-728. - (IoP Phys. Conf. Ser; Vol. 155)
Найти похожие

4.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Golub L.E., Ivanov S.V., Ivchenko E.L., Shubina T.V., Toropov A.A., Bergman J.P., Pozina G.R., Monemar B., Willander M.
Заглавие : Low-temperature kinetics of localized excitons in quantum-well structures
Место публикации : Phys. Status Solidi B. - 1998. - Vol.: 205, N: 1. - С.203-208
Найти похожие

5.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Ivanov S.V., Toropov A.A., Shubina T.V., Sorokin S.V., Lebedev A.V., Sedova I.V., Kop'ev P.S., Pozina G.R., Bergman J.P., Monemar B.
Заглавие : Growth and excitonic properties of single fractional monolayer CdSe/ZnSe structures
Место публикации : J. Appl. Phys. - 1998. - Vol.: 83, N: 6. - С.3168-3171
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Cao S.M., Willander M., Toropov A.A., Shubina T.V., Lebedev A.V., Mel'tser B.Ya., Kop'ev P.S., Lundstroem T., Holtz P.O., Bergman J.P., Monemar B.
Заглавие : Laser generation in AlGaAs/GaAs light-emiting tunnel diode enhanced by aperiodic-superlattice injectors
Место публикации : Narrow gap semicond.: proc. 8th Intern. conf. - 1998. - P.223-226
Найти похожие

7.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Cao S.M., Willander M., Toropov A.A., Shubina T.V., Mel'tser B.Y., Kop'ev P.S., Lundstrom T., Holtz P.O., Bergman J.P., Monemar B.
Заглавие : Bistable electroluminescence in p-i-n light-emitting tunnel-diodes enhanced by aperiodic-superlattice injectors
Место публикации : Appl. Phys. Letters. - 1998. - Vol.: 72, N: 3. - С.347-349
Найти похожие

8.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Toropov A.A., Ivanov S.V., Shubina T.V., Lebedev A.V., Sorokin S.V., Kop'ev P.S., Pozina G.R., Bergman J.P., Monemar B.
Заглавие : Disorder-induced exciton localization in a fractional monolayer ZnSe/CdSe superlattice
Место публикации : J. Cryst. Growth. - 1998. - Vol.: 185. - С.293-297
Найти похожие

9.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Shubina T.V., Toropov A.A., Sorokin S.V., Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Pozina G.R., Bergman J.P., Monemar B.
Заглавие : Optical studies of carrier transport phenomena in CdSe/ZnSe fractional monolayer superlattices
Место публикации : Thin Sol. Films. - 1998. - Vol.: 336, N: 1-2. - С.377-380
Найти похожие

10.

Вид документа :
Шифр издания :
Автор(ы) : Shubina T.V., Mamutin V.V., Lebedev A.V., Ratnikov V.V., Vekshin V.A., Toropov A.A., Shmidt N.M., Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Karlsteen M., Sodervall U., Willander M., Pozina G.R., Bergman J.P., Monemar B.
Заглавие : Optical and structural characterization of GaN grown by MBE using Indium as a surfactant
Место публикации : Nanostructures: phys. and technol./ International symposium nanostructures: physics and technology, 7th, June 14-18, 1999, St Petersburg, Russia. - 1999. - P.489-492
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-33