Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Стриха, В. И.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|9731/С85
Автор(ы) : Стриха В.И., Бузанева Е.В.
Заглавие : Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1987
Колич.характеристики :254 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 236 - 245
Цена : 2.70, р.
ББК : Ф VII-7 + Тх XII-2.940
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--микроэлектроника
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|5426/С 85
Автор(ы) : Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А.
Заглавие : Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки : физика, технология, применение
Выходные данные : М.: Советское радио, 1974
Колич.характеристики :248 с.: ил.
Цена : 1.50, р.
ББК : Ф VII-7
Предметные рубрики: Физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|5120/С 85
Автор(ы) : Стриха В.И.
Заглавие : Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник
Выходные данные : Киев: Наук. думка, 1974
Колич.характеристики :263 с.: ил.
Цена : 1.90, р.
ББК : Ф VII-7
Предметные рубрики: Физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие

4.

Вид документа :
Шифр издания : Тх|7286/С85
Автор(ы) : Стриха В.И., Кильчицкая С.С.
Заглавие : Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник
Выходные данные : СПб: Энергоатомиздат. С.-Петерб. отд-ние, 1992
Колич.характеристики :136 с
Цена : 1.63 р.
УДК : Тх XII-2.2.2.1 + Тх IX-1.1 + Ф VII-7
Предметные рубрики: Техника
Экземпляры :(1)
Свободны : (1)
Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|13711/С 85
Автор(ы) : Стриха В.И.
Заглавие : Контактные явления в полупроводниках : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : Киев: Вища шк., 1982
Колич.характеристики :224 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 221
Цена : 100.00, р.
ББК : Ф VII-7.3
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетеропереходы
Аннотация: Изложены физические основы работы контакта металл-полупроводник, p-n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаютс модели p-n перехода и контакта металл-проводник.
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Тх|8127/П 53
Заглавие : Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки : сб. науч. трудов
Выходные данные : Киев: Наук. думка, 1979
Колич.характеристики :236 с.: ил.
Коллективы : АН УССР Ин-т полупроводников, Мин-во высш. и сред. спец. образования УССР, Киев. гос. ун-т им. Т.Г.Шевченко
Цена : 150.00, р.
ББК : Тх XII-2.1.1; 082
Предметные рубрики: ТЕХНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы; сборник статей разных авторов
Аннотация: В сборнике рассматриваются физические процессы в приборах с барьером Шоттки: механизмы образования выпрямляющего барьера в контакте, переноса тока, фотоэлектрические явления в контакте металл-полупроводник и их применение для исследования полупроводников. Большое внимание уделяется приборам с барьером Шоттки на различных полупроводниках, физической надежности их работы. Анализируются элементы интегральной микроэлектроники с барьером Шоттки: транзисторы, тонкопленочные структуры, ПЭС. Рассчитан на научных сотрудников и инженеров, работающих в области полупроводниковой техники и микроэлектроники, а также на аспирантов и студентов вузов.
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ф|14246/В 75
Автор(ы) : Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И.
Заглавие : Методы исследования полупроводников
Выходные данные : Киев: Выща шк.(Головное изд-во), 1988
Колич.характеристики :232 с.: ил
ISBN, Цена 5-11-000230-4: 100.00, р.
ББК : Ф VII-1 + Ф VII-7
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--поверхность полупроводников
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов ( удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). Изложены физические принципы методик исследования полупроводников, приведены схемы экспериментальных установок, проанализированы условия применимости различных методик и основные источники их погрешностей. Для студентов физических и радиофизических специальностей.
Экземпляры :ФТИ(1)
Свободны : ФТИ(1)
Найти похожие