Библиотека Российской академии наук (БАН)

Базы данных


ЭК отдела БАН при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ) - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН)
ЭК изданий на восточных языках отдела литературы стран Азии и Африки (ОЛСАА)
Имидж-каталог БАН
Рукописный фонд БАН
Фонд редкой книги БАН
Газетный фонд БАН
Подносные экземпляры из библиотеки Петра I
Рукописи старообрядцев-скрытников из Каргопольского собрания
Наука в СССР в годы Великой Отечественной войны 1941 - 1945 гг.
Русские биографические и биобиблиографические словари и справочники, 1956-2000 гг.
Санкт-Петербургские ведомости (1728 - 1781)
Область поиска
 Найдено в других БД:Электронный каталог (ЭК) Библиотеки Российской академии наук (БАН) (5)ЭК отдела БАН при Ботаническом институте им. В.Л.Комарова РАН (БИН) (1)ЭК отдела БАН при Зоологическом институте РАН (ЗИН) (7)ЭК сектора БАН при Институте цитологии РАН (ИНЦ) (2)ЭК сектора БАН при Институте эволюционной физиологии и биохимии им. И.М.Сеченова РАН (ИЭФБ) (1)ЭК отдела БАН при Институте истории материальной культуры РАН (ИИМК) (3)ЭК отдела БАН при Институте лингвистических исследований РАН (ИЛИ) (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Васильев, А. Г.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.    Тх|8069
   К 96

    Куэй, Р.
    Электроника на основе нитрида галлия [Текст] / Р. Куэй; пер. с англ. Ю.А. Концевого, Е.А. Митрофанова; под ред. А.Г. Васильева . - М. : Техносфера, 2011. - 592 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.: с. 561-577 и в конце глав. - ISBN 978-5-94836-296-0 : 600 р.
ББК Тх XII-2.3.0.1 + Ф VII-1.4.3 + Тх XII-2.1 + Х III-1.6.2

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ХИМИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- полупроводники - нитрид галлия с особыми свойствами -- Электроника больших мощностей
Аннотация: Представленный в книге аналитический обзор охватывает свыше 1750 работ, посвященных III-N полупроводникам, которые применяются для создания транзи-сторов и радиоэлектронных устройств большой мощности, работающих в СВЧ диапазоне частот.Рассмотрены материалы, приборы, их технология, моделирование, проблемынадежности и применения.Книга представляет большой интерес для студентов, аспирантов, инженеров, разработчиков приборов и соответствующей аппаратуры.

Доп.точки доступа: Васильев, А. Г. \ред. пер.\; Концевой, Ю.А. \пер.\; Митрофанов, Е.А. \пер.\
Найти похожие
2.    Ф|13856
   В 19

    Васильев, А. Г.
    СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках [Текст] / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. - М. : Техносфера, 2011. - 416 с. : ил. - Библиогр.: с. 382-415. - ISBN 978-5-94836-271-7 : 450 р.
ББК Ф VII-4.3 + Тх XII-1.3.1

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТЕХНИКА СВЧ
Аннотация: В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетераструктурах типа AlGaN/GaN и СВЧ устройств на их основе. Подробно описаны свойства широкозонных полупроводников, методы их получения и исследования, а также способы создания гетероструктур на различных подложках. Рассмотрена физика гетеропереходов и двумерного газа носителей заряда. Детально анализируется технология производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Приведены параметры транзисторов и предоставлена характеристика перспективных направлений в области их использования. Рассмотрены различные системы на кристалле и в корпусе, созданные на основе гетеротранзисторов типа AlGaN/GaN/Al2O3 и AlGaN/GaN/SiC. Книга будет полезна специалистам в области электроники, исследователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектронной аппаратуры.

Доп.точки доступа: Колковский, Ю. В.; Концевой, Ю. А.
Найти похожие
3.    Тх|8090

   
    "ПУЛЬСАР". Прошлое... Настоящее... Будущее... [Текст] : очерки об истории полупроводниковой электроники / Ред. А. Г. Васильев. - М. : Техносфера, 2008. - 296 с. : цв.ил. - ISBN 978-5-94836-179-6 : б/ц р.
ББК Тх XII-2.1.1; 023

Рубрики: ТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
электроника, полупроводниковые приборы -- научно-популярная литература
Аннотация: Книга содержит материалы об истории организации первого в стране специализированного института полупроводниковой электроники с опытным заводом, сотрудники которого разработали сотни типов транзисторов, лавинно-пролетных диодов, микросхем и оптоэлектронных схем. Рассмотрено создание комплексированных изделий: электронных часов, самолетного ответчика "свой-чужой", твердотельных блоков радиолокационных станций и других устройств твердотельной электроники. Материалы книги подготовлены группой сотрудников ФГУП "НПП "Пульсар" и ГЗ "Пульсар", принимавших участие в исследованиях, разработках полупроводниковых приборов и микросхем, технологии создания полупроводниковых материалов, разработках технологического и контрольно-измерительного оборудования. Книга может быть полезна для читателей, интересующихся созданием и развитием отечественной полупроводниковой электроники.

Доп.точки доступа: Васильев, А. Г. \ред.\
Найти похожие
4.    Тх|8101
   В 19

    Васильев, А. Г.
    СВЧ транзисторы и устройства на широкозонных полупроводниках [Текст] : учебное пособие / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. - М. : Техносфера, 2011. - 256 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-290-8 : 475.00 р.
ББК Ф VII-4.3 + Тх XII-1.3.1 + Тх XII-2.1.1.2; 075

Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТЕХНИКА СВЧ -- радиоэлектроника, электроника, транзисторы; учебное пособие
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по физических основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа ALGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале. Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю Электроника и наноэлектроника. Книга также будет полезна магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

Доп.точки доступа: Колковский, Ю. В.; Концевой, Ю. А.
Найти похожие
 
Описание ЭК
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю